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Transistor bipolare S9012 PNP SOT-23
L'S9012 è un versatile transistor a giunzione bipolare (BJT) PNP progettato per applicazioni in cui sono necessari requisiti moderati di tensione e corrente. Incapsulato nel package SOT-23, offre dimensioni compatte senza compromettere le prestazioni. Con una tensione massima collettore-emettitore (VCEO) di -25 V e una corrente di collettore (IC) nominale di -500 mA, S9012 è adatto per progetti di circuiti a bassa potenza. È in grado di gestire una dissipazione di potenza (PD) fino a 300 mW e presenta una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di -0.6 V, garantendo una caduta di tensione minima durante il funzionamento. Il transistor presenta una frequenza di transizione (fT) di 150 MHz, che lo rende ideale per applicazioni che richiedono una risposta ad alta frequenza e una commutazione efficiente.
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I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
L'S9012 è un versatile transistor a giunzione bipolare (BJT) PNP progettato per applicazioni in cui sono necessari requisiti moderati di tensione e corrente. Incapsulato nel package SOT-23, offre dimensioni compatte senza compromettere le prestazioni. Con una tensione massima collettore-emettitore (VCEO) di -25 V e una corrente di collettore (IC) nominale di -500 mA, S9012 è adatto per progetti di circuiti a bassa potenza. È in grado di gestire una dissipazione di potenza (PD) fino a 300 mW e presenta una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di -0.6 V, garantendo una caduta di tensione minima durante il funzionamento. Il transistor presenta una frequenza di transizione (fT) di 150 MHz, che lo rende ideale per applicazioni che richiedono una risposta ad alta frequenza e una commutazione efficiente.
Caratteristiche
● Corrente di collettore elevata. (IC= -500 mA）
● Complementare a S9013.
● Eccellente linearità HFE.
Applicazioni
● Corrente di collettore elevata.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor，
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor，
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 150mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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