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S9012 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der S9012 ist ein vielseitiger PNP-Bipolartransistor (BJT), der für Anwendungen entwickelt wurde, bei denen moderate Spannungs- und Stromanforderungen erforderlich sind. Im SOT-23-Gehäuse gekapselt, bietet er eine kompakte Größe ohne Kompromisse bei der Leistung. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -25 V und einem Kollektorstrom (IC) von -500 mA eignet sich der S9012 für Schaltungsdesigns mit geringem Stromverbrauch. Er kann eine Verlustleistung (PD) von bis zu 300 mW verarbeiten und verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von -0.6 V, wodurch ein minimaler Spannungsabfall während des Betriebs gewährleistet wird. Der Transistor weist eine Übergangsfrequenz (fT) von 150 MHz auf und ist damit ideal für Anwendungen, die eine hohe Frequenzantwort und effizientes Schalten erfordern.
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Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der S9012 ist ein vielseitiger PNP-Bipolartransistor (BJT), der für Anwendungen entwickelt wurde, bei denen moderate Spannungs- und Stromanforderungen erforderlich sind. Im SOT-23-Gehäuse gekapselt, bietet er eine kompakte Größe ohne Kompromisse bei der Leistung. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -25 V und einem Kollektorstrom (IC) von -500 mA eignet sich der S9012 für Schaltungsdesigns mit geringem Stromverbrauch. Er kann eine Verlustleistung (PD) von bis zu 300 mW verarbeiten und verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von -0.6 V, wodurch ein minimaler Spannungsabfall während des Betriebs gewährleistet wird. Der Transistor weist eine Übergangsfrequenz (fT) von 150 MHz auf und ist damit ideal für Anwendungen, die eine hohe Frequenzantwort und effizientes Schalten erfordern.
Eigenschaften
● Hoher Kollektorstrom (IC = -500 mA)
● Ergänzend zu S9013.
● Hervorragende HFE-Linearität.
Anwendungen
● Hoher Kollektorstrom.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
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Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
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ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORZu den Produktlinien von gehören diskrete Geräte usw., Dioden, Transistoren, Leistungsgeräte und integrierte Schaltkreischips usw., Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS … Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Entwicklung von Technologien für dedizierte Halbleiter.
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