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Transistor bipolaire S9012 PNP SOT-23
Le S9012 est un transistor à jonction bipolaire (BJT) PNP polyvalent conçu pour les applications où des exigences modérées de tension et de courant sont nécessaires. Encapsulé dans le boîtier SOT-23, il offre une taille compacte sans compromettre les performances. Avec une tension collecteur-émetteur maximale (VCEO) de -25 V et un courant de collecteur (IC) de -500 mA, le S9012 convient aux conceptions de circuits à faible consommation. Il peut gérer une dissipation de puissance (PD) jusqu'à 300 mW et présente une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) de -0.6 V, garantissant une chute de tension minimale pendant le fonctionnement. Le transistor présente une fréquence de transition (fT) de 150 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une réponse haute fréquence et une commutation efficace.
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Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description :
Le S9012 est un transistor à jonction bipolaire (BJT) PNP polyvalent conçu pour les applications où des exigences modérées de tension et de courant sont nécessaires. Encapsulé dans le boîtier SOT-23, il offre une taille compacte sans compromettre les performances. Avec une tension collecteur-émetteur maximale (VCEO) de -25 V et un courant de collecteur (IC) de -500 mA, le S9012 convient aux conceptions de circuits à faible consommation. Il peut gérer une dissipation de puissance (PD) jusqu'à 300 mW et présente une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) de -0.6 V, garantissant une chute de tension minimale pendant le fonctionnement. Le transistor présente une fréquence de transition (fT) de 150 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une réponse haute fréquence et une commutation efficace.
Fonctionnalité
● Courant de collecteur élevé. (IC = -500 mA)
● Complémentaire au S9013.
● Excellente linéarité HFE.
Applications
● Courant de collecteur élevé.
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Objet
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Fiche technique
Assistance
Assistance
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Longévité
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13001 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marque: slkor，
2SC3585R45
Marque: slkor，
2SC4228R45
Marque: slkor，
BCX52-16 Transistors de puissance moyenne 60 V, 1 A PNP SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT1616AK NPN Transistor bipolaire SOT-23
Marque: slkor，
MMBT2222A
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
MMBT2907 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor，
MMBT3904 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
MMBT4401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Marque: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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