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MOSFET de potência de canal P IRFR5305 TO-252

● Dispositivo ecológico disponível.

● Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular para ultra RDS(ON).

● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.

Nossas vantagens:

Os processos de fabricação da China passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional. Os componentes eletrônicos semicondutores Slkor podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. 

Descrição :

Este MOSFET p-Channel usa tecnologia e design avançados de trincheira para fornecer excelente RDS (ON) com baixa carga de portão. ele pode ser usado em uma ampla variedade de aplicações.

Características :

● Vs=-60V, l=-30A, RDS(ON)<35m Ω @VGS=-10V

● Taxa de entrada baixa.

● Dispositivo ecológico disponível.

● Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular para ultra RDS(ON).

● Excelente embalagem para boa dissipação de calor.



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IRFR5305 TO-252.pdf
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O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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