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IRFR5305 P-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.
● Fortschrittliche Grabentechnologie mit hoher Zelldichte für ultra RDS(ON).
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.
Unsere Vorteile:
Chinas Herstellungsprozesse wurden über Jahre hinweg iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China zeichnen sich unsere Produkte durch hohe Gleichmäßigkeit in der Qualität, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus. Die elektronischen Halbleiterkomponenten von Slkor können in 99 % der Anwendungen die Komponenten großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist.
Beschreibung :
Dieser p-Kanal-MOSFET nutzt fortschrittliche Trench-Technologie und -Design, um einen hervorragenden RDS(ON) bei geringer Gate-Ladung bereitzustellen. Er kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.
Merkmale :
● Vs=-60V, l=-30A, RDS(ON)<35mΩ bei VGS=-10V
● Niedrige Gate-Ladung.
● Umweltfreundliches Gerät verfügbar.
● Fortschrittliche Grabentechnologie mit hoher Zelldichte für ultra RDS(ON).
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
2N7002 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
2N7002E N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
BSS123 N-Kanal-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
BSS138 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL2310 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL80N10 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-220
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL17N06D N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL17N06DN1 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
SL3N06 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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