الصفحة الرئيسية الحلول تسليط الضوء اليومي BSS123 N-Channel TrenchMOS الترانزستور المستوى المنطقي FET

BSS123 N-Channel TrenchMOS الترانزستور المستوى المنطقي FET

2023-06-27 88

اليوم سوف نقدم لكم BSS123 Mالجهد الاديوم N- قناة MOSFET من Slkor، التي يتم توفيره في SOT23 سطح مصغر حزمة التركيب.

الوصف

وضع تعزيز قناة N ترانزستور التأثير الميداني في البلاستيك المغلف باستخدام "الخندق" التكنولوجيا.

Fأكل

تكنولوجيا "الخندق"؟

؟التبديل سريع للغاية

? متوافق مع مستوى المنطق

؟ التركيب السطحي الدقيق صفقة

الاستخدامات

؟ سائق التتابع

؟ سائق خط عالي السرعة

؟ رنين الهاتف

بيانات مرجعية سريعة

رمز	معامل	الشروط	اكثر شئ	وحدة
V_DSS	استنزاف مصدر الجهد	T_مع = 25 درجة مئوية	100	V
V_GS	بوابة مصدر الجهد	T_مع = 25 درجة مئوية	± 20	V
I_D	استنزاف الحالي	T_مع = 25 درجة مئوية V_GS = 10 V	150	A
R_ديسون	استنزاف مصدر المقاومة على الدولة	T_j = 25 درجة مئوية V_GS = 10 V I_D= 120 مللي أمبير	3.5	مΩ

حول سلكور

مع فريق النخبة من جامعة Tsinghua الصينية المرموقة وجامعة سيول يونسي الكورية، تكرس شركة Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. جهودها للجيل الثالث من أجهزة طاقة SiC لأشباه الموصلات وأجهزة أشباه الموصلات التقليدية. نحن أقوياء فيما يتعلق بالمنهجيات ذات الصلة والمواد الجديدة والتقنيات الجديدة والمنتجات الجديدة. تغطي منتجاتنا الأجهزة المنفصلة والدوائر المتكاملة، والصمامات الثنائية، والترانزستورات، وأجهزة الطاقة، ورقائق إدارة الطاقة، والرقائق التناظرية وما إلى ذلك. تحت القيادة القوية للسيد سونغ شي تشيانغ، الرئيس التنفيذي لشركة Slkor، بدأ من دار تصميم IP، أصبحت Slkor الآن شركة مؤسسة وطنية للتكنولوجيا الفائقة تغطي خدمة البحث والتطوير والإنتاج والمبيعات لأجهزة أشباه الموصلات. توفر Slkor معادلات محلية عالية الجودة لأشباه الموصلات من كبار اللاعبين الدوليين. للحصول على الخدمات السريعة، تمتلك Slkor متجرين رئيسيين في وادي الأجهزة الشهير عالميًا Shenzhen Huaqiangbei.

BSS123إلى صفحة المنتج

ترانزستور تأثير المجال من نوع 2N7002 ذو قناة N، يعمل بوضع التحسين، 60 فولت، 0.115 أمبير، 7.5 أوم

لتالي

SL2309 P-قناة 60 فولت (DS) MOSFET