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BSS123 N-Kanal-TrenchMOS-Transistor-Logikpegel-FET

2023-06-27 81

Heute stellen wir das vor BSS123 Medium-Spannung N-Kanal-MOSFET von Slkor, Die wird in der geliefert SOT23-Subminiaturoberfläche Montagepaket.


Beschreibung

N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor aus Kunststoff Umschlag mit „Trench“ Technologie.

Features

„Graben“-Technologie

Extrem schnelles Umschalten 

? Logikpegelkompatibel

? Subminiatur-Oberflächenmontage Paket

Anwendungen

Relais-Treiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

? Telefonklingel

Schnellreferenzdaten

Symbol Parameter Erkrankungen Max Einheit
VDSS Drain-Source-Spannung Tmit = 25 ° C. 100 V
VGS Gate-Source-Spannung Tmit = 25 ° C. ± 20 V
ID Stromverbrauch Tmit = 25 ° C.
V
GS = 10 V
150 A
RDSohn Drain-Source-Einschaltwiderstand Tj = 25 ° C.
V
GS = 10 V
I
D= 120mA
3.5 mΩ


Über Slkor

Mit einem Eliteteam der renommierten chinesischen Tsinghua-Universität und der koreanischen Seoul Yonsei-Universität widmet sich Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. der dritten Generation von Halbleiter-SiC-Leistungsbauelementen und herkömmlichen Halbleiterbauelementen. Wir sind stark in den relevanten Methoden, neuen Materialien, neuen Technologien und neuen Produkten. Unsere Produkte umfassen diskrete Geräte und ICs, Dioden, Transistoren, Leistungsgeräte, Power-Management-Chips und analoge Chips usw. Unter der starken Führung von Herrn Song Shiqiang, dem CEO von Slkor, begann Slkor als IP-Designhaus und ist heute ein nationales High-Tech-Unternehmen, das die Forschung und Entwicklung, Produktion und den Vertriebsservice von Halbleiterbauelementen abdeckt. Slkor bietet qualitativ hochwertige inländische Halbleiteräquivalente großer internationaler Unternehmen. Für schnellen Service verfügt Slkor über zwei Flagship-Stores im weltberühmten Hardware Valley Shenzhen Huaqiangbei.


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