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Transistor TrenchMOS de canal N BSS123, FET de nivel lógico

2023-06-27 81

Hoy presentaremos el BSS123 Mvoltaje medio N-Canal MOSFET de Slkor, el cual se suministra en el Superficie subminiatura SOT23 paquete de montaje.


Mareas Ideales para Lecciones

Modo de mejora de canal N transistor de efecto de campo en un plástico sobre usando 'zanja' .

Fcaracterísticas

Tecnología de trinchera

? Cambio extremadamente rápido 

¿Compatible con el nivel lógico?

? Montaje superficial subminiatura PARA DOS

Aplicaciones

? Controlador de relé

? Conductor de línea de alta velocidad

¿Timbre del teléfono?

Datos de referencia rápida

Símbolo Parámetro Condiciones Max Unidad
VDSS voltaje de fuente de drenaje Tcon = 25 ° C 100 V
VGS voltaje de fuente de puerta Tcon = 25 ° C ± 20 V
ID corriente de drenaje Tcon = 25 ° C
V
GS = 10 V
150 A
Rhijo resistencia en estado de fuente de drenaje Tj = 25 ° C
V
GS = 10 V
I
D= 120 mA
3.5 mΩ


Acerca de Slkor

Con un equipo de élite de la prestigiosa Universidad china de Tsinghua y la Universidad coreana de Seúl Yonsei, Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. se dedica a los dispositivos semiconductores de potencia SiC de tercera generación y a los dispositivos semiconductores convencionales. Somos fuertes en las metodologías relevantes, nuevos materiales, nuevas tecnologías y nuevos productos. Nuestros productos cubren dispositivos discretos y circuitos integrados, diodos, transistores, dispositivos de potencia, chips de administración de energía y chips analógicos, etc. Bajo el fuerte liderazgo del Sr. Song Shiqiang, director ejecutivo de Slkor, comienza desde una casa de diseño IP, Slkor es ahora una Empresa nacional de alta tecnología que cubre el servicio de I+D, producción y venta de dispositivos semiconductores. Slkor ofrece equivalentes nacionales de calidad de semiconductores de los principales actores internacionales. Para servicios rápidos, Slkor tiene dos tiendas insignia en el mundialmente famoso valle de hardware Shenzhen Huaqiangbei.


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