Home Oplossingen Dagelijks hoogtepunt BSS123 N-kanaal TrenchMOS-transistor Logisch niveau FET

BSS123 N-kanaal TrenchMOS-transistor Logisch niveau FET

2023-06-27 82

Vandaag introduceren wij de BSS123 Medium-spanning N-Kanaals MOSFET van Slkor, welke wordt geleverd in de SOT23 subminiatuuroppervlak montage pakket.

Beschrijving

N-kanaalverbeteringsmodus veldeffecttransistor in kunststof envelop met 'geul' technologie.

FENMERKEN

? 'Trench'-technologie

? Extreem snel schakelen

? Logisch niveau compatibel

? Subminiatuur oppervlaktemontage pakket

Toepassingen

? Relaisdriver

? Hogesnelheidslijndriver

? Telefoonbel

Snelle referentiegegevens

Symbool	Parameter	Voorwaarden	Max	Eenheid
V_DSS	drain-source-spanning	T_amb = 25 °C	100	V
V_GS	poort-bronspanning	T_amb = 25 °C	± 20	V
I_D	afvoerstroom	T_amb = 25 ° C V_GS = 10 V	150	A
R_Dzoon	drain-source on-state weerstand	T_j = 25 ° C V_GS = 10 V I_D= 120mA	3.5	mΩ

Over Slkor

Met een eliteteam van de prestigieuze Chinese Tsinghua Universiteit en de Koreaanse Seoul Yonsei Universiteit, richt Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. zich op de derde generatie halfgeleider SiC-vermogensapparaten en conventionele halfgeleiderapparaten. Wij zijn sterk in de relevante methodieken, nieuwe materialen, nieuwe technologieën en nieuwe producten. Onze producten omvatten discrete apparaten en IC's, diodes, transistors, voedingsapparaten, energiebeheerchips en analoge chips enz. Onder de sterke leiding van de heer Song Shiqiang, de CEO van Slkor, start hij vanuit een IP-ontwerphuis, is Slkor nu een nationale hightech onderneming die de R&D, productie en verkoopservice van halfgeleiderapparaten omvat. Slkor levert hoogwaardige binnenlandse halfgeleiderequivalenten van grote internationale spelers. Voor snelle service heeft Slkor twee flagshipstores in de wereldberoemde hardwarevallei Shenzhen Huaqiangbei.

BSS123Naar productpagina

2N7002 N-kanaalverbeteringsmodus Veldeffecttransistor 60V, 0.115A, 7.5Ω

SL2309 P-kanaal 60-V (DS) MOSFET