หน้าแรก โซลูชัน ไฮไลท์รายวัน ทรานซิสเตอร์ BSS123 N-Channel TrenchMOS ระดับลอจิก FET

ทรานซิสเตอร์ BSS123 N-Channel TrenchMOS ระดับลอจิก FET

2023-06-27 81

วันนี้เราจะมาแนะนำ สบส123 Medium-แรงดันไฟฟ้า N-ช่อง MOSFET จาก Slkorซึ่ง มีให้ใน พื้นผิวย่อย SOT23 แพคเกจการติดตั้ง

รายละเอียด

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel ทรานซิสเตอร์สนามผลในพลาสติก ซองจดหมายโดยใช้ 'ร่องลึก' เทคโนโลยี

Features

เทคโนโลยี 'ร่องลึก'

? การสลับที่รวดเร็วมาก

? เข้ากันได้กับระดับตรรกะ

? การติดตั้งบนพื้นผิวขนาดเล็กมาก แพ็คเกจ

การใช้งาน

? ไดร์เวอร์รีเลย์

? ไดรเวอร์สายความเร็วสูง

? เสียงกริ่งโทรศัพท์

ข้อมูลอ้างอิงด่วน

สัญลักษณ์	พารามิเตอร์	เงื่อนไขเพิ่มเติมสำหรับการขอคืนเงิน (Refund Policy)	แม็กซ์	Unit
V_DSS	แรงดันไฟฟ้าของแหล่งระบายน้ำ	T_ซุ่ม = 25 องศาเซลเซียส	100	V
V_GS	แรงดันไฟฟ้าเกตแหล่งที่มา	T_ซุ่ม = 25 องศาเซลเซียส	± 20	V
I_D	ระบายกระแส	T_ซุ่ม = 25 องศาเซลเซียส V_GS = 10 V	150	A
R_{ดีซอน}	ความต้านทานต่อสถานะท่อระบายน้ำ	T_j = 25 องศาเซลเซียส V_GS = 10 V I_D= 120 มิลลิแอมป์	3.5	mΩ

เกี่ยวกับ สกลอร์

ด้วยทีมงานชั้นยอดจากมหาวิทยาลัย Tsinghua ของจีนและมหาวิทยาลัย Yonsei ของเกาหลี บริษัท Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. ทุ่มเทให้กับอุปกรณ์จ่ายไฟ SiC ของเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามและอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทั่วไป เรามีความเข้มแข็งในด้านวิธีการที่เกี่ยวข้อง วัสดุใหม่ เทคโนโลยีใหม่ และผลิตภัณฑ์ใหม่ ผลิตภัณฑ์ของเราครอบคลุมถึงอุปกรณ์แยกและไอซี ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์ไฟฟ้า ชิปการจัดการพลังงาน และชิปอะนาล็อก ฯลฯ ภายใต้การนำที่แข็งแกร่งของ Mr. Song Shiqiang ซีอีโอของ Slkor เริ่มต้นจากบริษัทออกแบบ IP ปัจจุบัน Slkor กลายเป็น องค์กรเทคโนโลยีขั้นสูงระดับชาติครอบคลุม R&D การผลิตและการบริการการขายอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ Slkor จัดหาเซมิคอนดักเตอร์ที่มีคุณภาพเทียบเท่าในประเทศจากผู้เล่นรายใหญ่ระดับนานาชาติ เพื่อการบริการที่รวดเร็ว Slkor มีร้านเรือธงสองแห่งในหุบเขาฮาร์ดแวร์ชื่อดังระดับโลกอย่าง Shenzhen Huaqiangbei

สบส123สู่หน้าผลิตภัณฑ์

ทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กแบบ N-Channel Enhancement Mode รุ่น 2N7002 แรงดัน 60V กระแส 0.115A ความต้านทาน 7.5Ω

SL2309 พี-แชนเนล 60-V (DS) MOSFET