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BSS123 Transistor TrenchMOS de canal N FET de nível lógico

2023-06-27 81

Hoje vamos apresentar o BSS123 MVoltagem média NMOSFET de canal da Slkor, o qual é fornecido no Superfície subminiatura SOT23 pacote de montagem.


Descrição

Modo de aprimoramento de canal N transistor de efeito de campo em um plástico envelope usando 'trincheira' tecnologia.

Features

Tecnologia 'Trincheira'

Troca extremamente rápida 

? Compatível com o nível lógico

Montagem em superfície subminiatura pacote

Aplicações

Driver de relé

? Motorista de linha de alta velocidade

? Toque de telefone

Dados de referência rápida

Símbolo Parâmetro Condições Max Unidade
VDSS tensão da fonte de drenagem Tamb = 25 ° C 100 V
VGS tensão porta-fonte Tamb = 25 ° C ± 20 V
ID corrente de drenagem Tamb = 25 ° C
V
GS = 10 V
150 A
RFilho resistência no estado da fonte de drenagem Tj = 25 ° C
V
GS = 10 V
I
D= 120mA
3.5 mΩ


Sobre Slkor

Com uma equipe de elite da prestigiada Universidade Chinesa de Tsinghua e da Universidade Coreana de Seul Yonsei, a Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. dedica-se aos dispositivos de energia SiC semicondutores de terceira geração e aos dispositivos semicondutores convencionais. Somos fortes nas metodologias relevantes, nos novos materiais, nas novas tecnologias e nos novos produtos. Nossos produtos abrangem dispositivos discretos e ICs, diodos, transistores, dispositivos de energia, chips de gerenciamento de energia e chips analógicos, etc. Sob a forte liderança do Sr. Song Shiqiang, CEO da Slkor, começa em uma casa de design IP, a Slkor é agora uma empresa nacional de alta tecnologia que cobre serviços de P&D, produção e vendas de dispositivos semicondutores. A Slkor fornece equivalentes nacionais de semicondutores de qualidade dos principais players internacionais. Para serviços imediatos, a Slkor possui duas lojas principais no mundialmente famoso vale de hardware Shenzhen Huaqiangbei.


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