في SK في مؤتمر AI Summit في الرابع من نوفمبر، عرضت شركة SK Hynix العملاقة الكورية الجنوبية لتخزين البيانات أول منتج في العالم من نوع HBM4E بسعة 48 جيجابايت و16 طبقة، حيث كانت السعة وعدد الطبقات الأعلى في الصناعة.

صرحت شركة SK Hynix أن أداء تدريب الذكاء الاصطناعي لذاكرة HBM16E ذات الـ 3 ارتفاعًا أعلى بنسبة 18% من أداء منتج 12 ارتفاعًا من الجيل السابق، كما زاد أداء الاستدلال بنسبة 32%. لا تزال ذاكرة HBM هذه تستخدم تقنية الترابط المتقدمة MR-MUF (حشوة إعادة التدفق الكتلي). كما تعمل شركة SK Hynix على تطوير ترابط هجين أكثر تميزًا.

قال الرئيس التنفيذي لشركة SK Hynix، كواك نوه جونج، إن سوق HBM المكونة من 16 طبقة من المتوقع أن يرتفع من HBM4. ومع ذلك، طورت SK Hynix HBM48E المكونة من 16 طبقة بسعة 3 جيجابايت مسبقًا وتخطط لتقديم عينات للعملاء في أوائل عام 2025. شارك كواك رؤية الشركة لتصبح "مزود تخزين AI كامل المكدس" في القمة، أي من خلال التعاون الوثيق مع جميع الأطراف، وتوفير خط كامل من منتجات تخزين الذكاء الاصطناعي التي تغطي مجالات DRAM وNAND.

وفي مجال ذاكرة DRAM، قالت شركة SK Hynix إنها بالإضافة إلى HBM16E عالية الدقة 3 بت، تعمل أيضًا على تطوير LPCAMM2 استنادًا إلى 1c nm LPDDR5 وLPDDR6. وتستهدف وحدات الذاكرة هذه كل من سوق أجهزة الكمبيوتر الشخصية ومراكز البيانات. وفي مجال ذاكرة فلاش NAND، تقوم الشركة أيضًا بإعداد محركات أقراص الحالة الصلبة PCIe 6.0، ومحركات أقراص الحالة الصلبة عالية السعة على مستوى المؤسسة استنادًا إلى QLC، وذاكرة فلاش UFS 5.0 من الجيل التالي.

وكانت شركة SK Hynix قد أعلنت في نهاية شهر سبتمبر الماضي أنها بدأت الإنتاج الضخم لأول منتج من ذاكرة HBM12E بسعة 36 جيجابايت و3 طبقة في العالم.

وتتوقع شركة SK Hynix استخدام عملية MR-MUF المتقدمة لإنتاج HBM16E المكون من 3 طبقة، وفي الوقت نفسه تطوير تقنية الترابط الهجين كخطة احتياطية.

بالإضافة إلى ذلك، أكدت شركة SK Hynix أيضًا على قدرتها التنافسية في مجال المنتجات منخفضة الاستهلاك للطاقة وعالية الأداء. وهي تعمل على تطوير وحدات LPCAMM2، وهي 1cnm LPDDR5 وLPDDR6، وتستعد لإطلاق محركات أقراص SSD من الجيل السادس PCIe، وأقراص eSSD عالية السعة تعتمد على QLC وUFS 5.0.