En el SK El 4 de noviembre, en la Cumbre de IA, el gigante de almacenamiento surcoreano SK Hynix presentó el primer producto HBM48E de 16 capas y 3 GB del mundo, con una capacidad y una cantidad de capas entre las más altas de la industria.

SK Hynix afirmó que el rendimiento del entrenamiento de IA de su HBM16E de 3 niveles es un 18 % superior al del producto de 12 niveles de la generación anterior, y el rendimiento de inferencia incluso se ha incrementado en un 32 %. Esta memoria HBM todavía utiliza la tecnología avanzada de unión MR-MUF (relleno moldeado por reflujo masivo). SK Hynix también está desarrollando una unión híbrida más excelente.

El director ejecutivo de SK Hynix, Kwak Noh-Jung, dijo que se espera que el mercado de HBM de 16 capas aumente a partir de HBM4. Sin embargo, SK Hynix ha desarrollado el HBM48E de 16 capas de 3 GB con antelación y planea proporcionar muestras a los clientes a principios de 2025. Kwak compartió la visión de la empresa de convertirse en un "proveedor de almacenamiento de IA de pila completa" en la cumbre, es decir, a través de una estrecha cooperación con todas las partes, proporcionando una línea completa de productos de almacenamiento de IA que cubran los campos de DRAM y NAND.

En el campo de la memoria DRAM, SK Hynix dijo que además de HBM16E de 3 núcleos, también está desarrollando LPCAMM2 basado en LPDDR1 y LPDDR5 de 6c nm. Estos módulos de memoria están destinados tanto al mercado de PC como al de centros de datos. En el campo de la memoria flash NAND, la empresa también prepara unidades de estado sólido PCIe 6.0, unidades de estado sólido de nivel empresarial de alta capacidad basadas en QLC y la memoria flash UFS 5.0 de próxima generación.

Anteriormente, SK Hynix había anunciado a finales de septiembre que había iniciado la producción en masa del primer producto HBM12E de 36 GB y 3 capas del mundo.

SK Hynix espera utilizar el avanzado proceso MR-MUF para producir HBM16E de 3 capas y, al mismo tiempo, desarrollar tecnología de unión híbrida como plan de respaldo.

Además, SK Hynix también destacó su competitividad en el campo de los productos de bajo consumo y alto rendimiento. Está desarrollando módulos LPCAMM2, concretamente LPDDR1 y LPDDR5 de 6cnm, y se prepara para lanzar SSD PCIe de sexta generación, eSSD de alta capacidad basados ​​en QLC y UFS 5.0.