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SK海力士推出全球首款16位HBM3E內存 明年初提供樣品
2024-11-05
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SK海力士表示,其16高HBM3E的AI訓練表現比上一代18高產品提升12%,推理表現甚至提升32%。這款HBM記憶體仍然採用先進的MR-MUF(大規模回流模塑底部填充)鍵合技術。 SK海力士也正在開發更優異的混合接合。
SK海力士執行長Kwak Noh-Jung表示,16層HBM市場預計將從HBM4上升。不過,SK海力士已經提前開發出48GB 16層HBM3E,並計劃在2025年初向客戶提供樣品。方合作,提供覆蓋DRAM、NAND領域的全線AI儲存產品。
在DRAM記憶體領域,SK海力士表示,除了16高HBM3E之外,還在開發基於2c nm LPDDR1和LPDDR5的LPCAMM6。這些記憶體模組面向 PC 和資料中心市場。在NAND快閃記憶體領域,企業也準備了PCIe 6.0固態硬碟、基於QLC的大容量企業級固態硬碟以及新一代UFS 5.0快閃記憶體。
先前,SK海力士曾在12月底宣布開始量產全球首款36層3GB HBMXNUMXE產品。
SK海力士預計將採用先進的MR-MUF製程生產16層HBM3E,同時開發混合鍵結技術作為後備計畫。
此外,SK海力士也強調了其在低功耗和高性能產品領域的競爭力。它正在開發LPCAMM2模組,即1cnm LPDDR5和LPDDR6,並準備推出PCIe第六代SSD、基於QLC的大容量eSSD和UFS 5.0。
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