Na SK Podczas szczytu AI Summit, który odbył się 4 listopada, południowokoreański gigant zajmujący się magazynowaniem danych, SK Hynix, zaprezentował pierwszy na świecie 48-warstwowy dysk HBM16E o pojemności 3 GB. Zarówno pojemność, jak i liczba warstw plasują się na najwyższym poziomie w branży.

SK Hynix stwierdził, że wydajność treningu AI jego 16-high HBM3E jest o 18% wyższa niż poprzedniej generacji 12-high, a wydajność wnioskowania jest nawet zwiększona o 32%. Ta pamięć HBM nadal wykorzystuje zaawansowaną technologię wiązania MR-MUF (mass reflow molded underfill). SK Hynix opracowuje również doskonalsze wiązanie hybrydowe.

Dyrektor generalny SK Hynix, Kwak Noh-Jung, powiedział, że oczekuje się wzrostu rynku 16-warstwowych pamięci HBM z HBM4. Jednak SK Hynix opracował 48 GB 16-warstwowych pamięci HBM3E z wyprzedzeniem i planuje dostarczyć klientom próbki na początku 2025 r. Kwak podzielił się wizją firmy, aby stać się „dostawcą pamięci masowej AI full-stack” na szczycie, czyli poprzez ścisłą współpracę ze wszystkimi stronami, dostarczając pełną linię produktów pamięci masowej AI obejmujących pola DRAM i NAND.

W dziedzinie pamięci DRAM firma SK Hynix poinformowała, że ​​oprócz 16-high HBM3E, rozwija również LPCAMM2 na bazie 1c nm LPDDR5 i LPDDR6. Te moduły pamięci są przeznaczone zarówno na rynek komputerów PC, jak i centrów danych. W dziedzinie pamięci flash NAND firma przygotowuje również dyski półprzewodnikowe PCIe 6.0, dyski półprzewodnikowe klasy korporacyjnej o dużej pojemności na bazie QLC oraz pamięć flash UFS 5.0 nowej generacji.

Wcześniej, pod koniec września, firma SK Hynix ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji pierwszego na świecie 12-warstwowego produktu HBM36E o pojemności 3 GB.

Firma SK Hynix zamierza wykorzystać zaawansowany proces MR-MUF do produkcji 16-warstwowego HBM3E i jednocześnie opracować technologię łączenia hybrydowego jako plan zapasowy.

Ponadto SK Hynix podkreśliło swoją konkurencyjność w dziedzinie produktów o niskim zużyciu energii i wysokiej wydajności. Opracowuje moduły LPCAMM2, a mianowicie 1cnm LPDDR5 i LPDDR6, i przygotowuje się do wprowadzenia na rynek dysków SSD szóstej generacji PCIe, wysokopojemnych dysków eSSD opartych na QLC i UFS 5.0.