Im SK Auf dem AI Summit am 4. November präsentierte der südkoreanische Speichergigant SK Hynix das weltweit erste 48 GB große 16-Schicht-HBM3E-Produkt, das sowohl hinsichtlich der Kapazität als auch der Anzahl der Schichten die höchsten in der Branche aufweist.

SK Hynix gab an, dass die KI-Trainingsleistung seines 16-High-HBM3E um 18 % höher sei als die des 12-High-Produkts der vorherigen Generation, und die Inferenzleistung sei sogar um 32 % gestiegen. Dieser HBM-Speicher verwendet immer noch die fortschrittliche MR-MUF-Verbindungstechnologie (Mass Reflow Molded Underfill). SK Hynix entwickelt außerdem eine noch bessere Hybridverbindung.

Laut Kwak Noh-Jung, CEO von SK Hynix, wird der Markt für 16-Schicht-HBM voraussichtlich vom HBM4 aus wachsen. SK Hynix hat jedoch bereits im Voraus den 48 GB 16-Schicht-HBM3E entwickelt und plant, den Kunden Anfang 2025 Muster zur Verfügung zu stellen. Kwak teilte auf dem Gipfel die Vision des Unternehmens mit, ein „Full-Stack-KI-Speicheranbieter“ zu werden, d. h. durch enge Zusammenarbeit mit allen Parteien eine vollständige Palette von KI-Speicherprodukten anzubieten, die die Bereiche DRAM und NAND abdecken.

Im Bereich DRAM-Speicher sagte SK Hynix, dass es neben dem 16-fachen HBM3E auch LPCAMM2 auf Basis von 1c nm LPDDR5 und LPDDR6 entwickelt. Diese Speichermodule sind sowohl für den PC- als auch den Rechenzentrumsmarkt gedacht. Im Bereich NAND-Flash-Speicher bereitet das Unternehmen außerdem PCIe 6.0-Solid-State-Laufwerke, hochkapazitive Solid-State-Laufwerke auf Unternehmensebene auf Basis von QLC und den UFS 5.0-Flash-Speicher der nächsten Generation vor.

Zuvor hatte SK Hynix Ende September angekündigt, mit der Massenproduktion des weltweit ersten 12-schichtigen 36 GB HBM3E-Produkts begonnen zu haben.

SK Hynix geht davon aus, mithilfe des fortschrittlichen MR-MUF-Prozesses 16-schichtiges HBM3E herzustellen und gleichzeitig als Backup-Plan eine Hybridbond-Technologie zu entwickeln.

Darüber hinaus betonte SK Hynix auch seine Wettbewerbsfähigkeit im Bereich der Produkte mit geringem Stromverbrauch und hoher Leistung. Das Unternehmen entwickelt LPCAMM2-Module, nämlich 1cnm LPDDR5 und LPDDR6, und bereitet die Einführung von PCIe-SSDs der sechsten Generation, QLC-basierten eSSDs mit hoher Kapazität und UFS 5.0 vor.