Globale Halbleiterindustrie im AufwindDatteln

1. Das in Großbritannien ansässige Unternehmen für autonome Fahrtechnologie Wayve expandiert auf den asiatischen Markt, indem es in Japan ein neues Test- und Entwicklungszentrum eröffnet.

2. Ein Team aus 30 Wissenschaftlern des Indian Institute of Science hat der Regierung einen Vorschlag zur Entwicklung eines Chips der „Klasse A“ vorgelegt, der viel kleiner ist als die kleinsten Chips, die derzeit produziert werden.

3. Samsung plant, die Produktion mehrerer DDR4-Speichermodelle bis Ende 2025 einzustellen. Der letzte Bestelltermin ist für Anfang Juni vorgesehen.

4. Elon Musk steigt in die Halbleiterverpackungsbranche ein und plant den Bau einer 700 x 700 mm großen Verpackungsproduktionslinie.

5. LG Electronics hat angekündigt, dass das Unternehmen offiziell aus dem Geschäft mit Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) aussteigen wird.

6. Der japanische Chip-Fertigungsausrüstungslieferant Tokyo Electron richtet in Indien eine Basis ein, um Chip-Fertigungswerkzeuge zu entwerfen und die zugehörige Software zu entwickeln.

Aktuelles aus der chinesischen Halbleiterindustrie

1. Das Internationale Symposium zur 3D-Integrationstechnologie beim Niedrigtemperatur-Bonding findet vom 3. bis 4. August 2025 in Tianjin statt.

2. Der starke Anstieg des Goldpreises wirkt sich auf die Halbleiterindustrie aus. Große Montage- und Testunternehmen wie Kingpak Technology und Nanmao Technology haben Preiserhöhungen angekündigt und sind damit die ersten Halbleiterunternehmen, die als Reaktion auf den aktuellen Anstieg des Goldpreises ihre Preise erhöhen.

3. Kinghelm (www.kinghelm.com) hat die Neubewertung seiner ISO9001-Zertifizierung für Qualitätsmanagementsysteme erfolgreich abgeschlossen.

4. Horizon Robotics und NIO haben offiziell ihr erstes Gemeinschaftsmodell auf den Markt gebracht – den Firefly.

5. Gallium Semiconductor hat erfolgreich die Genehmigung zur Einrichtung einer Postdoktoranden-Forschungsstation in der Provinz Zhejiang erhalten.

6. Qingchun Semiconductor hat seine Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Technologieplattform (MOSFET) der dritten Generation erfolgreich auf den Markt gebracht und seinen ersten Hauptantriebschip, den S3M008120BK, herausgebracht.