Service-Hotline
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Allgemeine Merkmale
● VDS =60V. ICHD = 17A
RDS (EIN)<75 mΩ VGS= 10 V
RDS (EIN)Ω@VGS= 4.5 V
● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen Rdson
● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit mit hohen EAs
● Ausgezeichnetes Paket für gute Wärmeableitung
Anwendungen
● Leistungsschaltanwendung
● Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen
● Motorantrieb
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















