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SL17N06D N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252

● Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Allgemeine Merkmale

● VDS =60V. ICHD = 17A

RDS (EIN)<75 mΩ VGS= 10 V

RDS (EIN)Ω@VGS= 4.5 V

Verbesserte dv/dt-Fähigkeit

● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen Rdson

● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit mit hohen EAs

● Ausgezeichnetes Paket für gute Wärmeableitung

Anwendungen

● Leistungsschaltanwendung

● Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

● Motorantrieb



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Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support

Unterstützung

 

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Langlebigkeit

 

Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.

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