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SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3
● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Unser SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET, ausgelegt für eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von -60 V und einen Dauerstrom (ID) von -1.6 A, liefert zuverlässige Schaltleistung in verschiedenen elektronischen Schaltungen. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand von maximal 160 mΩ bei VGS = -10 V und maximal 200 mΩ bei VGS = -4.5 V aus, was geringe Leitungsverluste und einen hohen Wirkungsgrad ermöglicht. Der MOSFET ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht, was die Platzausnutzung auf der Leiterplatte optimiert und eine gute Wärmeableitung gewährleistet.
Funktionen
● Extrem niedriger Durchlasswiderstand durch hochdichte Zellkonstruktion
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannungs- und Strombelastbarkeit
● Hervorragende Wärmeleistung zur Wärmeableitung
● Schnelle Schaltcharakteristik
● Kompaktes SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse für die automatisierte Montage
Anwendungen
Dieser Hochleistungs-P-Kanal-Leistungs-MOSFET wurde für die Anforderungen moderner Elektroniksysteme entwickelt und bietet sowohl Leistung als auch Zuverlässigkeit für vielfältige Anwendungen. – Lastschaltkreise: Ideal für Lastschalter mit geringen Leitungsverlusten. – PWM-Steuerungsanwendungen: Geeignet für Pulsweitenmodulations-Schaltszenarien. – Batteriebetriebene Geräte: Einsatz in tragbarer Elektronik zur Stromversorgung. – Universelle Schaltanwendungen: Geeignet für verschiedene Niederspannungs-Hochgeschwindigkeitsschaltkreise.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
2N7002 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-363
Marke: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-523
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
AOD409 P-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250uA P/N： P-channel
BSS123 N-Kanal-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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