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SL2309 P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23-3

● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson

● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom

● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

Allgemeine Merkmale

● VDS = -60 V, ID = -1.6 A RDS(EIN) <160 m? @ VGS= -10 V RDS(EIN) <200 m? @ VGS= -4.5 V  
● Zelldesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen Rdson  
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung

Anwendung
● Lastschalter  
● PWM-Anwendung


Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support

Unterstützung

 

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Langlebigkeit

 

Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.

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