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SL2309 P チャネル パワー MOSFET SOT-23-3

●超低Rdsonを実現する高密度セル設計

● アバランシェ電圧と電流を完全に特性化

●放熱性に優れたパッケージです。

我々の利点

中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。

詳細説明

最大ドレイン・ソース間電圧(VDS)-60V、連続ドレイン電流(ID)-1.6Aで設計された当社のSL2309 PチャネルパワーMOSFETは、様々な電子回路において信頼性の高いスイッチング性能を発揮します。VGS=-10V時で最大160mΩ、VGS=-4.5V時で最大200mΩという低いドレイン・ソース間オン抵抗を実現し、導通損失を低減し、高効率化に貢献します。このMOSFETはコンパクトなSOT-23表面実装パッケージに収められており、PCBスペースの有効活用と優れた放熱性を実現します。

マスタープランの特徴

●高密度セル設計による超低オン抵抗
● 特性評価済みのアバランシェ電圧および電流容量
●優れた放熱性能
● 高速スイッチング特性
● 自動実装に対応したコンパクトなSOT-23表面実装パッケージ

用途 

この高性能PチャネルパワーMOSFETは、現代の電子システムの要求を満たすように設計されており、多様なアプリケーションで性能と信頼性の両方を提供します。 - 負荷スイッチング回路:導通損失の少ないシステム電力負荷スイッチに最適です。 - PWM制御アプリケーション:パルス幅変調スイッチングシナリオに適しています。 - バッテリー駆動デバイス:ポータブル電子機器の電源経路管理に適用されます。 - 汎用スイッチング:さまざまな低電圧高速スイッチング回路で使用できます。

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耐用性アップ

 

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