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Productos
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SL2309 MOSFET de potencia de canal P SOT-23-3
● Diseño de celda de alta densidad para Rdson ultrabajo
● Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
● Excelente paquete para una buena disipación del calor.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Mareas Ideales para Lecciones
Nuestro MOSFET de potencia de canal P SL2309, diseñado con una tensión máxima de drenaje-fuente (VDS) de -60 V y una corriente de drenaje continua (ID) de -1.6 A, ofrece un rendimiento de conmutación fiable en diversos circuitos electrónicos. Presenta una baja resistencia de conducción de drenaje-fuente, con un máximo de 160 mΩ a VGS = -10 V y un máximo de 200 mΩ a VGS = -4.5 V, lo que se traduce en bajas pérdidas por conducción y alta eficiencia. Este MOSFET se presenta en un encapsulado compacto de montaje superficial SOT-23, optimizando el espacio en la placa de circuito impreso y facilitando una buena disipación del calor.
CARACTERÍSTICAS
● Resistencia en estado activo ultrabaja gracias al diseño de celdas de alta densidad.
● Capacidad de voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizada
● Excelente rendimiento térmico para la disipación del calor
● Características de conmutación rápida
● Encapsulado compacto SOT-23 de montaje superficial para ensamblaje automatizado
Aplicaciones
Este MOSFET de potencia de canal P de alto rendimiento está diseñado para satisfacer las exigencias de los sistemas electrónicos modernos, ofreciendo rendimiento y fiabilidad para diversas aplicaciones. - Circuitos de conmutación de carga: Ideal para la conmutación de carga de potencia del sistema con baja pérdida de conducción. - Aplicaciones de control PWM: Adecuado para escenarios de conmutación por modulación de ancho de pulso (PWM). - Dispositivos alimentados por batería: Aplicado en electrónica portátil para la gestión de la ruta de alimentación. - Conmutación de propósito general: Funciona para diversos circuitos de conmutación de alta velocidad y bajo voltaje.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002KDW MOSFET de potencia de canal N SOT-363
Marcas: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET de potencia de canal N TO-523
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002T MOSFET de alimentación de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
BSS123 MOSFET de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
BSS138 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 220mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,220mA VTH： 1.6V@1mA P/N： N-Channel
BSS169 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 234mΩ@10V,1.5A VTH： 2.8V@250uA P/N： N-channel
IRF640, canal N, alimentación, encapsulado TO-220
Marcas: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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