Hotline usługi
Produkty
Produkty
SL2309 P-kanałowy MOSFET mocy SOT-23-3
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości i bardzo niskim współczynniku Rdson
● W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowy
● Doskonały pakiet zapewniający dobre odprowadzanie ciepła
Nasze atuty
Chińskie procesy produkcyjne przeszły lata iteracji, w wyniku czego powstały dojrzałe i niezawodne technologie. Wiele międzynarodowych korporacji decyduje się na outsourcing produkcji w Chinach. Jako producent podzespołów elektronicznych w Chinach, nasze produkty mogą w 99% zastosowań całkowicie zastąpić produkty głównych międzynarodowych marek, bez konieczności przeprowadzania weryfikacji testowej. Nasze produkty charakteryzują się wysoką stałą jakością, rozsądnymi cenami, dużymi zapasami, elastycznymi dostawami, krótkimi terminami realizacji i profesjonalną obsługą posprzedażną.
OPIS
Nasz tranzystor mocy MOSFET SL2309 z kanałem typu P, zaprojektowany z maksymalnym napięciem dren-źródło (VDS) wynoszącym -60 V i ciągłym prądem drenu (ID) wynoszącym -1.6 A, zapewnia niezawodną pracę przełączania w różnych układach elektronicznych. Charakteryzuje się niską rezystancją dren-źródło w stanie przewodzenia, wynoszącą maksymalnie 160 mΩ przy VGS=-10 V i maksymalnie 200 mΩ przy VGS=-4.5 V, co zapewnia niskie straty przewodzenia i wysoką sprawność. Ten tranzystor MOSFET jest umieszczony w kompaktowej obudowie SOT-23 do montażu powierzchniowego, co optymalizuje wykorzystanie przestrzeni płytki PCB i zapewnia dobre odprowadzanie ciepła.
ROZWIĄZANIA
● Bardzo niska rezystancja w stanie włączenia dzięki konstrukcji ogniw o dużej gęstości
● W pełni scharakteryzowana zdolność pomiaru napięcia i prądu lawinowego
● Doskonała wydajność termiczna w zakresie odprowadzania ciepła
● Szybkie przełączanie
● Kompaktowa obudowa SOT-23 do montażu powierzchniowego, przeznaczona do automatycznego montażu
Zastosowania
Ten wysokowydajny tranzystor MOSFET z kanałem P został zaprojektowany tak, aby sprostać wymaganiom nowoczesnych systemów elektronicznych, oferując wydajność i niezawodność w różnych zastosowaniach. - Obwody przełączania obciążenia: Idealne do przełączania obciążenia systemu z niskimi stratami przewodzenia. - Zastosowania sterowania PWM: Odpowiednie do scenariuszy przełączania z modulacją szerokości impulsu. - Urządzenia zasilane bateryjnie: Stosowane w elektronice przenośnej do zarządzania ścieżką zasilania. - Przełączanie ogólnego przeznaczenia: Działa w różnych obwodach przełączających niskiego napięcia o dużej prędkości.
Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.
2N7002 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-363
Marka: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT N-kanałowy MOSFET mocy TO-523
Marka: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323
Marka: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T N-kanałowy MOSFET mocy SOT-523
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
AOD409 P-kanałowy MOSFET mocy TO-252
Marka: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250uA P/N： P-channel
BSS123 N-kanałowy MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Potrzebujesz pomocy? Zeskanuj kod telefonem, aby rozpocząć czat na WhatsAppie.
Copyright@2025 Wszelkie prawa zastrzeżone
Slkor
粤公网安备44030002007346号