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SL2309 MOSFET di potenza a canale P SOT-23-3
● Design delle celle ad alta densità per Rdson ultra basso
● Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione
Il nostro MOSFET di potenza a canale P SL2309, progettato con una tensione drain-source (VDS) massima di -60 V e una corrente di drain continua (ID) di -1.6 A, è progettato per offrire prestazioni di commutazione affidabili in diversi circuiti elettronici. Presenta una bassa resistenza di conduzione drain-source con un massimo di 160 mΩ a VGS=-10 V e un massimo di 200 mΩ a VGS=-4.5 V, garantendo basse perdite di conduzione ed elevata efficienza. Questo MOSFET è alloggiato in un package SOT-23 compatto per montaggio superficiale, ottimizzando l'utilizzo dello spazio sul PCB e facilitando una buona dissipazione del calore.
CARATTERISTICHE
● Resistenza di conduzione estremamente bassa grazie alla progettazione di celle ad alta densità
● Capacità di tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
● Eccellenti prestazioni termiche per la dissipazione del calore
● Caratteristiche di commutazione rapida
● Contenitore compatto SOT-23 per montaggio superficiale, ideale per l'assemblaggio automatizzato
Applicazioni
Questo MOSFET di potenza a canale P ad alte prestazioni è progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi elettronici, offrendo prestazioni e affidabilità per diverse applicazioni. - Circuiti di commutazione del carico: ideale per la commutazione del carico di potenza del sistema con basse perdite di conduzione. - Applicazioni di controllo PWM: adatto per scenari di commutazione a modulazione di larghezza di impulso. - Dispositivi alimentati a batteria: utilizzato nell'elettronica portatile per la gestione del percorso di alimentazione. - Commutazione generica: adatto a vari circuiti di commutazione a bassa tensione e alta velocità.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
2N7002 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET di potenziamento a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW MOSFET di potenza a canale N SOT-363
Brand: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET di potenza a canale N TO-523
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
2N7002T MOSFET di potenza a canale N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
IRF640 Alimentazione a canale N TO-220
Brand: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET di potenza a canale N SOP-8
Brand: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
IRFR5305 MOSFET di potenza a canale P in contenitore TO-252
Brand: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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