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BC858C PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der BC858C ist ein universeller PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine hohe Stromverstärkung (hFE), eine niedrige Sättigungsspannung und ein zuverlässiges Schaltverhalten aus und ist für Schaltkreise und die Audiofrequenzverstärkung (NF-Verstärkung) in kompakten elektronischen Geräten konzipiert.
Unsere Vorteile
- Das Standard-SOT-23-Gehäuse unterstützt die automatische Montage vollständig.
- Extrem hohe und stabile Gleichstromverstärkung für präzise Verstärkung
- Niedrige Sättigungsspannung für hocheffizientes Schalten
- Breites Spektrum an Spannungs- und Verstärkungsoptionen für flexible Schaltungsentwicklung
- Kompakte Größe, ideal für hochdichte Leiterplattenlayouts
- Breiter Temperaturbereich für industrielle und Verbraucheranwendungen
- RoHS-konform für den weltweiten Markteinsatz
Beschreibung
Der BC858C ist ein universeller PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch eine hohe Stromverstärkung (hFE), eine niedrige Sättigungsspannung und ein zuverlässiges Schaltverhalten aus und ist für Schaltkreise und die Audiofrequenzverstärkung (NF-Verstärkung) in kompakten elektronischen Geräten konzipiert.
Funktionen
- PNP-Universaltransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Geeignet für automatische Einfügung
- Für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen
- VCBO = −30 V, VCEO = −30 V, VEBO = −5 V
- Gleichstromverstärkung (hFE): 420–800 (C-Rang)
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −100 mA
- Verlustleistung: PC = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 3L
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Audiofrequenz-(AF)-Verstärkerschaltungen
- Niedrigenergie-Schaltsteuerung
- Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräte
- Tragbare und kompakte Geräte
- Industrielle Steuermodule
- SMT-Schaltungsdesigns mit hoher Dichte
Name
Titel
Beschreibung
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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