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BC858B PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der BC858B ist ein universeller PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er bietet eine stabile Verstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und ein gutes Schaltverhalten und findet breite Anwendung in der Signalverstärkung, der Audiofrequenzverstärkung und der energiesparenden Schaltsteuerung in verschiedenen elektronischen Geräten.
Unsere Vorteile
- Das SOT-23-Standardgehäuse unterstützt die vollautomatische Montage.
- Stabile und hohe Gleichstromverstärkung für zuverlässige Verstärkung
- Niedrige Sättigungsspannung reduziert Leistungsverlust
- Breites Anwendungsspektrum für Schalt- und NF-Schaltungen
- Kompakte Größe für hochdichte Leiterplattendesigns
- Breiter Betriebstemperaturbereich für industrielle Anwendungen
- RoHS-konform und für die Massenproduktion geeignet
Beschreibung
Der BC858B ist ein universeller PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er bietet eine stabile Verstärkung, eine niedrige Sättigungsspannung und ein gutes Schaltverhalten und findet breite Anwendung in der Signalverstärkung, der Audiofrequenzverstärkung und der energiesparenden Schaltsteuerung in verschiedenen elektronischen Geräten.
Funktionen
- PNP-Universaltransistor
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Geeignet für automatische Einfügung
- Für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen
- VCBO = −30 V, VCEO = −30 V, VEBO = −5 V
- Gleichstromverstärkung (hFE): 220–475 (Rang B)
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = −100 mA
- Verlustleistung: PC = 200 mW
- Übergangsfrequenz: fT = 100 MHz (typ.)
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 3K
Anwendungen
- Allgemeine Signalverstärkung
- Audiofrequenz-(AF)-Verstärkerschaltungen
- Niedrigleistungs-Schaltkreise
- Unterhaltungselektronik
- Tragbare elektronische Geräte
- Industrielle Steuermodule
- SMT-Schaltungsdesigns mit hoher Dichte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 30V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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