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BC846PN Epitaxialer Siliziumtransistor SOT-363
Der BC846PN ist ein kunststoffgekapselter Doppeltransistor, der einen NPN-Transistor (BC846W) und einen PNP-Transistor (BC856W) in einem einzigen SOT-363-Gehäuse integriert. Er zeichnet sich durch epitaktische Chipkonstruktion, isolierte Kanäle und hervorragende elektrische Eigenschaften aus und eignet sich ideal für Kleinsignalverstärkung, Schalt- und Pegelumsetzungsschaltungen in kompakten elektronischen Geräten.
Unsere Vorteile
- Zwei NPN- und PNP-Transistoren in einem kompakten SOT-363-Gehäuse
- Zwei isolierte Transistoren vermeiden gegenseitige Störungen
- Die epitaktische Planarstruktur gewährleistet hohe Zuverlässigkeit und Konsistenz.
- Hohe und stabile Gleichstromverstärkung für präzise Verstärkung
- Niedrige Sättigungsspannung und geringe Leckströme für hohe Effizienz
- Miniaturgehäuse spart Platz auf der Leiterplatte und Montagekosten.
- Breiter Temperaturbereich, geeignet für industrielle Anwendungen
Beschreibung
Der BC846PN ist ein kunststoffgekapselter Doppeltransistor, der einen NPN-Transistor (BC846W) und einen PNP-Transistor (BC856W) in einem einzigen SOT-363-Gehäuse integriert. Er zeichnet sich durch epitaktische Chipkonstruktion, isolierte Kanäle und hervorragende elektrische Eigenschaften aus und eignet sich ideal für Kleinsignalverstärkung, Schalt- und Pegelumsetzungsschaltungen in kompakten elektronischen Geräten.
Funktionen
- Doppeltransistor: NPN + PNP im SOT-363-Gehäuse
- Epitaxiale Chipkonstruktion
- Zwei isolierte Transistoren
- Bewertung: BB
- NPN: VCBO=80V, VCEO=65V, IC=100mA
- PNP: VCBO=-80V, VCEO=-65V, IC=-100mA
- Verlustleistung: PC = 200 mW pro Kanal
- Gleichstromverstärkung: hFE bis zu 475
- Übergangsfrequenz: fT=100MHz (typ.)
- Niedrige Sättigungsspannung und geringer Leckstrom
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −55℃ bis +150℃
Anwendungen
- Kleinsignalverstärkungsschaltungen
- Niedrigenergie-Schaltsteuerung
- Logikpegelverschiebung
- Audio- und Sensorschnittstellen
- Tragbare Unterhaltungselektronik
- Hochdichte Leiterplattenmodule
- Industrielle und batteriebetriebene Geräte
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 65V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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