Unsere Vorteile
- Ultrahohe Frequenzen bis zu 9 GHz für Breitband-HF-Anwendungen
- Extrem niedriges Rauschmaß für hochempfindlichen Empfang
- Hohe Leistungsverstärkung und großer Dynamikbereich
- Standard-SOT-23-Gehäuse für einfache Massenmontage
- Niedrige Kapazität und geringe Leckage für hervorragende HF-Leistung
- Stabile Linearität und hohe Zuverlässigkeit
- Breiter Temperaturbereich für Kommunikationsgeräte
Beschreibung
Der BFR540 ist ein rauscharmer NPN-Mikrowellentransistor in Silizium-Epitaxie im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch hohe Verstärkung, große Bandbreite und geringes Rauschen aus und ist speziell für UHF-, VHF-, CATV- und radargestützte Hochfrequenz-Rauscharmer-Verstärkersysteme konzipiert.
Funktionen
- NPN-Mikrowellen-Epitaxietransistor mit geringem Rauschen auf Siliziumbasis
- SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse
- Übergangsfrequenz: fT = 9 GHz (typ.)
- Niedriges Rauschmaß: NF = 1.3–2.4 dB
- Hohe Leistungsverstärkung: |S21| bis zu 13 dB
- Gleichstromverstärkung: hFE = 60–250
- VCBO = 20 V, VCEO = 12 V, VEBO = 2.5 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 120 mA
- Verlustleistung: PT = 500 mW
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −65℃ bis +150℃
- Kennzeichnung: 33W
Anwendungen
- VHF/UHF-Rauscharme Verstärker
- Kabelfernseh- und Satellitenfernsehtuner
- Radarwarner und drahtlose Alarmanlagen
- HF-Kommunikationsmodule
- Glasfaser-Übertragungsverstärker
- Hochfrequenz-Breitbandsignalverstärker
- Tragbare drahtlose Geräte