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Transistor bipolaire NPN BFR540 SOT-23
Le BFR540 est un transistor micro-ondes épitaxié en silicium NPN à faible bruit, présenté en boîtier CMS SOT-23. Il se caractérise par un gain élevé, une large bande passante et un faible bruit, et est spécialement conçu pour les systèmes d'amplification haute fréquence à faible bruit utilisés dans les applications UHF, VHF, CATV et radar.
Nos avantages
- Fréquence ultra-élevée jusqu'à 9 GHz pour les applications RF à large bande
- Facteur de bruit extrêmement faible pour une réception haute sensibilité
- Gain de puissance élevé et large plage dynamique
- Boîtier SOT-23 standard pour un assemblage en série aisé
- Faible capacité et faible courant de fuite pour d'excellentes performances RF
- Linéarité stable et haute fiabilité
- Large plage de températures pour les équipements de communication
Description
Le BFR540 est un transistor micro-ondes épitaxié en silicium NPN à faible bruit, présenté en boîtier CMS SOT-23. Il se caractérise par un gain élevé, une large bande passante et un faible bruit, et est spécialement conçu pour les systèmes d'amplification haute fréquence à faible bruit utilisés dans les applications UHF, VHF, CATV et radar.
Fonctionnalités
- Transistor épitaxial en silicium NPN à faible bruit pour micro-ondes
- Boîtier de montage en surface SOT-23
- Fréquence de transition : fT = 9 GHz (typ.)
- Facteur de bruit faible : NF = 1.3–2.4 dB
- Gain de puissance élevé : |S21| jusqu'à 13 dB
- Gain en courant continu : hFE = 60–250
- VCBO = 20 V, VCEO = 12 V, VEBO = 2.5 V
- Courant de collecteur continu : IC = 120 mA
- Dissipation de puissance : PT = 500 mW
- Température de jonction/stockage : −65℃ à +150℃
- Marquage : 33W
Applications
- Amplificateurs à faible bruit VHF/UHF
- Tuners pour la télévision par câble et par satellite
- Détecteurs de radars et alarmes sans fil
- modules de communication RF
- répéteurs de transmission par fibre optique
- Amplificateurs de signaux à large bande haute fréquence
- équipement sans fil portable
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Transistor bipolaire PNP SS30101-Q, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire NPN 2SD2098-R, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire NPN MMDT4401, boîtier SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire PNP 2SC4373-Y, boîtier SOT-89
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire NPN 2SC2757 T33, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire PNP 2SC2881-Y, boîtier SOT-89
VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
MMDT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire NPN M28S, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
Transistor bipolaire NPN MMBT2222AT, boîtier SOT-523
Marque: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： -- fT(MHz)(fT(MHz))： 9GHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 120mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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粤公网安备44030002007346号