Beschreibung

Eigenschaften

1. Bemessungs-Sperrspannung von 3.3 V, perfekt geeignet für Niederspannungs-Hochgeschwindigkeitssignalkreise
2. Extrem niedrige typische Sperrschichtkapazität von 0.6 pF, wodurch Signalverzerrungen und -dämpfungen bei hohen Geschwindigkeiten wirksam verhindert werden.
3. Niedrigster Leckstrom im Nanoampere-Bereich zur Reduzierung des Standby-Stromverbrauchs von batteriebetriebenen Geräten
4. Hohe Spitzenimpulsleistung von 360 W bei standardmäßiger 8/20-µs-Blitzstoßwellenform
5. EMV-Interferenzunterdrückungsleistung nach verschiedenen Standards:
   • IEC 61000-4-2 ESD: ±30 kV Luftentladung, ±30 kV Kontaktentladung
   • IEC 61000-4-5 Blitzstoß: 20A Spitzenimpulsstrom (8/20μs)
   • IEC 61000-4-4 EFT: 80A transienter Impuls (5/50ns)
6. Bidirektionales Design zur Absorption sowohl positiver als auch negativer transienter Spannungsspitzen
7. Ultraschnelle Reaktionszeit im Nanosekundenbereich zur sofortigen Freisetzung von Überschussenergie
8. Das winzige, bleifreie SOD-323-Kunststoffgehäuse spart erheblich Platz auf der Leiterplatte.
9. Vollständig RoHS-konforme, bleifreie Verkapselung zur Erfüllung globaler Exportanforderungen für umweltfreundliche Elektronik.
10. Standardmäßige 7-Zoll-Gurt- und Rollenverpackung mit 3000 Stück pro Rolle für die automatische SMT-Massenproduktion
11. Betriebstemperaturbereich: -40℃ ~ +85℃, geeignet für verschiedene tragbare elektronische Endgeräte

Unsere Vorteile

1. Das ultrakleine, kompakte SOD-323-Gehäuse eignet sich für ultradünne Smartphones, Wearables und Mini-Funksensormodule mit begrenztem Platz auf der Leiterplatte.
2. Die extrem niedrige Kapazität gewährleistet die vollständige Signalintegrität für Gigabit-Ethernet, High-Speed-USB und differentielle Datenleitungen.
3. Die branchenführende ESD-Festigkeit von ±30 kV erfüllt problemlos die strengen EMV-Zertifizierungstests für Unterhaltungselektronik.
4. Eine einzelne bidirektionale TVS-Diode ersetzt zwei unidirektionale Dioden und vereinfacht so die Stückliste und das Leiterplatten-Verdrahtungslayout.
5. Geringer Leckstrom minimiert statische Leistungsverluste, ideal für tragbare, batteriebetriebene Geräte mit geringem Stromverbrauch.
6. Die extrem hohe Stoßstromfestigkeit von 20 A unterdrückt wirksam Blitzeinschläge in Kommunikationskabeln.
7. Die niedrige Klemmspannung begrenzt die Restüberspannung und schützt so empfindliche Niederspannungs-IC-Chips vollständig.
8. Stabile elektrische Leistung im üblichen Temperaturbereich von Unterhaltungselektronik
9. Die bleifreie, flammhemmende Kunststoffverpackung entspricht internationalen Umweltschutzbestimmungen.
10. Einheitliche Spulenverpackung, kompatibel mit allen gängigen Hochgeschwindigkeits-SMT-Bestückungsautomaten

Mechanische Daten

1. Gehäusetyp: Bleifreies, spritzgegossenes Kunststoffgehäuse SOD-323 für Oberflächenmontage
2. Standardverpackung: 3000 Stück pro 7-Zoll-Gurtrolle
3. Abmessungen (Außenmaße): Standard-Abmessungsspezifikationen SOD-323 (Einheit: mm) gemäß Datenblatt
4. Spezielle Lötflächen auf der Leiterplatte für das SOD-323-Layoutdesign vorgesehen
5. Betriebstemperaturbereich: -40℃ ~ +85℃
6. Lagertemperaturbereich: -55℃ ~ +150℃
7. Verkapselungsmaterial: RoHS-konforme, flammhemmende, bleifreie Kunststoffmischung

Anwendungen

• Alle Arten von digitalen Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsleitungen
• Smartphones und tragbare elektronische Geräte
• Niederspannungs-USB-Signal- und Stromschnittstellen
• Drahtlose Kommunikationsmodule, Bluetooth- und Wi-Fi-HF-Schaltungen
• 10/100/1000 Base-T Gigabit-Ethernet-Kommunikationsports
• Niederspannungs-Hochgeschwindigkeitssignalschaltungen der Unterhaltungselektronik
• Miniaturisierte drahtlose IoT-Sensorik und Kommunikationsendgeräte
• Handmessgeräte und Niederspannungs-Steuerplatinen