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¿Cómo son las capacidades de I+D e innovación de productos de Slkor?
2026-09-21
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Slkor cuenta con sólidas capacidades de I+D e innovación, una estructura integral y una rápida capacidad de adaptación. Posee ventajas competitivas para la sustitución de productos nacionales en dispositivos de potencia, gestión de energía, SiC y otros campos.
I. Equipo y plataforma de I+D
Equipo principal: Una combinación de la Universidad de Tsinghua, la Universidad Yonsei de Corea y personas que regresan del extranjero, con un dominio temprano de procesos avanzados como MOSFET de SiC y diodos de recuperación ultrarrápida de quinta generación.
Estructura de I+D: Los centros de investigación y desarrollo están ubicados en Busan, Pekín y Suzhou (Corea del Sur), y se dispone de un laboratorio en la sede central de Shenzhen, lo que conforma una capacidad integrada de diseño, fabricación, embalaje y pruebas.
Patentes y cualificaciones: Empresa de alta tecnología que ha superado las certificaciones ISO9001, RoHS, REACH, California 65, etc.
II. Innovación y diseño de productos
Tres series principales: Diodos, Transistores, Dispositivos de Potencia, Chips de Gestión de Energía, con más de 2,000 modelos.
Potencia de alta gama: diodos SiC, MOSFET SiC, IGBT, diodos de recuperación ultrarrápida de quinta generación, adecuados para nuevas energías, energía fotovoltaica, control industrial y aplicaciones de grado automotriz.
Potencia y analógico: LDO, CA/CC, CC/CC, BMS, sensores Hall, ADC, MCU dedicados, chips de interfaz, etc.
Dispositivos de protección: ESD, TVS, matrices de protección de capacitancia ultrabaja, dirigidas a la electrónica de consumo y las interfaces de comunicación.
Sustitución nacional: La mayoría de los productos son compatibles pin a pin con TI, ON y ST, con bajos costos de reemplazo y una alta aceptación por parte del cliente.
III. Características técnicas y de innovación
Tecnología SiC líder: Producción en masa de MOSFET de SiC en fase temprana, evaluación comparativa de rendimiento con líderes internacionales, adecuada para escenarios de alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura.
Iteración rápida: Ciclo de lanzamiento de nuevos productos corto, expansión continua de las líneas de productos de potencia, gestión de energía, sensores y analógicos.
Capacidad orientada a la solución: Proporcionamos diseños de referencia para BMS, OBC, módulos de potencia, etc., con el apoyo completo del FAE para la selección, depuración y pruebas.
Calidad y entrega: Nos centramos en la alta rentabilidad y la ausencia de quejas, en el desarrollo y la producción propios, en un plazo de entrega controlable y en la priorización de agentes y clientes.
I. Equipo y plataforma de I+D
Equipo principal: Una combinación de la Universidad de Tsinghua, la Universidad Yonsei de Corea y personas que regresan del extranjero, con un dominio temprano de procesos avanzados como MOSFET de SiC y diodos de recuperación ultrarrápida de quinta generación.
Estructura de I+D: Los centros de investigación y desarrollo están ubicados en Busan, Pekín y Suzhou (Corea del Sur), y se dispone de un laboratorio en la sede central de Shenzhen, lo que conforma una capacidad integrada de diseño, fabricación, embalaje y pruebas.
Patentes y cualificaciones: Empresa de alta tecnología que ha superado las certificaciones ISO9001, RoHS, REACH, California 65, etc.
II. Innovación y diseño de productos
Tres series principales: Diodos, Transistores, Dispositivos de Potencia, Chips de Gestión de Energía, con más de 2,000 modelos.
Potencia de alta gama: diodos SiC, MOSFET SiC, IGBT, diodos de recuperación ultrarrápida de quinta generación, adecuados para nuevas energías, energía fotovoltaica, control industrial y aplicaciones de grado automotriz.
Potencia y analógico: LDO, CA/CC, CC/CC, BMS, sensores Hall, ADC, MCU dedicados, chips de interfaz, etc.
Dispositivos de protección: ESD, TVS, matrices de protección de capacitancia ultrabaja, dirigidas a la electrónica de consumo y las interfaces de comunicación.
Sustitución nacional: La mayoría de los productos son compatibles pin a pin con TI, ON y ST, con bajos costos de reemplazo y una alta aceptación por parte del cliente.
III. Características técnicas y de innovación
Tecnología SiC líder: Producción en masa de MOSFET de SiC en fase temprana, evaluación comparativa de rendimiento con líderes internacionales, adecuada para escenarios de alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura.
Iteración rápida: Ciclo de lanzamiento de nuevos productos corto, expansión continua de las líneas de productos de potencia, gestión de energía, sensores y analógicos.
Capacidad orientada a la solución: Proporcionamos diseños de referencia para BMS, OBC, módulos de potencia, etc., con el apoyo completo del FAE para la selección, depuración y pruebas.
Calidad y entrega: Nos centramos en la alta rentabilidad y la ausencia de quejas, en el desarrollo y la producción propios, en un plazo de entrega controlable y en la priorización de agentes y clientes.
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