Hotline usługi
Jak wyglądają możliwości firmy Slkor w zakresie prac badawczo-rozwojowych i innowacji produktowych?
2026-09-21
91
Slkor dysponuje silnym potencjałem badawczo-rozwojowym i innowacyjnym, kompleksowym układem i szybką iteracją. Posiada konkurencyjne możliwości w zakresie krajowych substytutów w zakresie urządzeń energetycznych, zarządzania energią, węglika krzemu (SiC) i innych dziedzin.
I. Zespół badawczo-rozwojowy i platforma
Główny zespół: Połączenie Uniwersytetu Tsinghua, Uniwersytetu Korea Yonsei oraz studentów powracających z zagranicy, którzy już na wczesnym etapie opanowali zaawansowane procesy, takie jak SiC MOSFET i diody odzyskujące ultraszybkie piątej generacji.
Układ badawczo-rozwojowy: Centra badawczo-rozwojowe znajdują się w Busan, Pekinie i Suzhou w Korei Południowej, a laboratorium znajduje się w siedzibie głównej w Shenzhen, tworząc zintegrowane możliwości projektowania, produkcji, pakowania i testowania.
Patenty i kwalifikacje: Przedsiębiorstwo high-tech, posiadające certyfikaty ISO9001, RoHS, REACH, California 65 itp.
II. Innowacje i układ produktu
Trzy główne serie: diody, tranzystory, urządzenia mocy, układy zarządzania energią, ponad 2,000 modeli.
Wysokiej klasy moc: diody SiC, tranzystory MOSFET SiC, tranzystory IGBT, diody o ultraszybkim odzyskiwaniu piątej generacji, przeznaczone do zastosowań w nowych źródłach energii, fotowoltaice, sterowaniu przemysłowym i motoryzacji.
Zasilanie i sygnały analogowe: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, czujniki Halla, ADC, dedykowane mikrokontrolery, układy interfejsów itp.
Urządzenia ochronne: ESD, TVS, tablice zabezpieczające o ultraniskiej pojemności, przeznaczone do elektroniki użytkowej i interfejsów komunikacyjnych.
Zamienniki krajowe: Większość produktów jest zgodna z TI, ON, ST w technologii PIN-to-PIN, przy niskich kosztach wymiany i dużej akceptacji klientów.
III. Charakterystyka techniczna i innowacyjna
Wiodąca technologia SiC: wczesna realizacja masowej produkcji tranzystorów MOSFET SiC, porównanie wydajności z międzynarodowymi liderami, przydatność do scenariuszy wysokiego napięcia, wysokiej częstotliwości i wysokiej temperatury.
Szybka iteracja: Krótki cykl wprowadzania nowego produktu, ciągła rozbudowa linii produktów o rozwiązania z zakresu zasilania, zarządzania energią, czujników i produktów analogowych.
Możliwość zorientowania na rozwiązania: dostarczanie projektów referencyjnych dla BMS, OBC, modułów zasilania itp. z pełnym wsparciem ze strony FAE w zakresie wyboru, debugowania i testowania.
Jakość i realizacja: Nacisk na wysoką efektywność kosztową i brak reklamacji, samodzielne opracowanie i wykonanie, kontrolowany czas realizacji, priorytetowe traktowanie agentów i klientów.
I. Zespół badawczo-rozwojowy i platforma
Główny zespół: Połączenie Uniwersytetu Tsinghua, Uniwersytetu Korea Yonsei oraz studentów powracających z zagranicy, którzy już na wczesnym etapie opanowali zaawansowane procesy, takie jak SiC MOSFET i diody odzyskujące ultraszybkie piątej generacji.
Układ badawczo-rozwojowy: Centra badawczo-rozwojowe znajdują się w Busan, Pekinie i Suzhou w Korei Południowej, a laboratorium znajduje się w siedzibie głównej w Shenzhen, tworząc zintegrowane możliwości projektowania, produkcji, pakowania i testowania.
Patenty i kwalifikacje: Przedsiębiorstwo high-tech, posiadające certyfikaty ISO9001, RoHS, REACH, California 65 itp.
II. Innowacje i układ produktu
Trzy główne serie: diody, tranzystory, urządzenia mocy, układy zarządzania energią, ponad 2,000 modeli.
Wysokiej klasy moc: diody SiC, tranzystory MOSFET SiC, tranzystory IGBT, diody o ultraszybkim odzyskiwaniu piątej generacji, przeznaczone do zastosowań w nowych źródłach energii, fotowoltaice, sterowaniu przemysłowym i motoryzacji.
Zasilanie i sygnały analogowe: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, czujniki Halla, ADC, dedykowane mikrokontrolery, układy interfejsów itp.
Urządzenia ochronne: ESD, TVS, tablice zabezpieczające o ultraniskiej pojemności, przeznaczone do elektroniki użytkowej i interfejsów komunikacyjnych.
Zamienniki krajowe: Większość produktów jest zgodna z TI, ON, ST w technologii PIN-to-PIN, przy niskich kosztach wymiany i dużej akceptacji klientów.
III. Charakterystyka techniczna i innowacyjna
Wiodąca technologia SiC: wczesna realizacja masowej produkcji tranzystorów MOSFET SiC, porównanie wydajności z międzynarodowymi liderami, przydatność do scenariuszy wysokiego napięcia, wysokiej częstotliwości i wysokiej temperatury.
Szybka iteracja: Krótki cykl wprowadzania nowego produktu, ciągła rozbudowa linii produktów o rozwiązania z zakresu zasilania, zarządzania energią, czujników i produktów analogowych.
Możliwość zorientowania na rozwiązania: dostarczanie projektów referencyjnych dla BMS, OBC, modułów zasilania itp. z pełnym wsparciem ze strony FAE w zakresie wyboru, debugowania i testowania.
Jakość i realizacja: Nacisk na wysoką efektywność kosztową i brak reklamacji, samodzielne opracowanie i wykonanie, kontrolowany czas realizacji, priorytetowe traktowanie agentów i klientów.
Powiązane rekomendacje
Wywiad ekskluzywny z Li Gangiem z Yunfan Ruida: Precyzja produktów radarowych o milimetrowej fali i ciepło ludzkości
2026-07-22
2114
Do zobaczenia w przyszłym roku! | Slkor na konferencji Electronica China Highlights 2026
2026-07-14
1856
Pasja RF, podróż rzemieślnika: ponad 30 lat nieustannego poświęcenia — wywiad z głównym inżynierem Kinghelm, panem Qin Hongxiangiem
2026-06-26
2304




粤公网安备44030002007346号