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Come si presentano le capacità di ricerca e sviluppo e di innovazione di prodotto di Slkor?
2026-09-21 91
Slkor vanta solide capacità di ricerca e sviluppo e di innovazione, una struttura produttiva completa e un rapido processo iterativo. Possiede capacità competitive per la sostituzione della produzione nazionale nei dispositivi di potenza, nella gestione dell'energia, nel SiC e in altri settori.
I. Team e piattaforma di ricerca e sviluppo
Team principale: composto da ricercatori dell'Università Tsinghua, dell'Università Yonsei in Corea e da persone rientrate dall'estero, con una solida esperienza in processi avanzati come i MOSFET in SiC e i diodi a recupero ultraveloce di quinta generazione.
Struttura di ricerca e sviluppo: i centri di ricerca e sviluppo si trovano a Busan, Pechino e Suzhou, in Corea del Sud, e un laboratorio è disponibile presso la sede centrale di Shenzhen, formando una capacità integrata di progettazione, produzione, confezionamento e collaudo.
Brevetti e qualifiche: Azienda ad alta tecnologia, in possesso delle certificazioni ISO9001, RoHS, REACH, California 65, ecc.
II. Innovazione e layout del prodotto
Tre serie principali: diodi, transistor, dispositivi di potenza e chip per la gestione dell'alimentazione, con oltre 2,000 modelli.
Componenti di potenza di fascia alta: diodi SiC, MOSFET SiC, IGBT, diodi a recupero ultraveloce di quinta generazione, adatti per applicazioni nel settore delle energie rinnovabili, del fotovoltaico, del controllo industriale e dell'automotive.
Alimentazione e analogica: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, sensori di Hall, ADC, MCU dedicate, chip di interfaccia, ecc.
Dispositivi di protezione: ESD, TVS, array di protezione a bassissima capacità, destinati all'elettronica di consumo e alle interfacce di comunicazione.
Sostituzione nazionale: la maggior parte dei prodotti è compatibile a livello di pin con TI, ON e ST, con bassi costi di sostituzione e un'elevata accettazione da parte dei clienti.
III. Caratteristiche tecniche e di innovazione
Leadership tecnologica nel SiC: avvio anticipato della produzione di massa di MOSFET in SiC, benchmarking delle prestazioni con i leader internazionali, idoneità per scenari ad alta tensione, alta frequenza e alta temperatura.
Iterazione rapida: ciclo di sviluppo di nuovi prodotti breve, espansione continua delle linee di prodotti per potenza, gestione dell'energia, rilevamento e analogici.
Capacità orientata alle soluzioni: Forniamo progetti di riferimento per BMS, OBC, moduli di potenza, ecc., con il pieno supporto del FAE per la selezione, il debug e il collaudo.
Qualità e consegna: attenzione all'elevata efficienza dei costi e all'assenza di reclami, sviluppo e produzione interni, tempi di consegna controllabili, priorità per agenti e clienti.
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