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Quelles sont les capacités de R&D et d'innovation produit de Slkor ?
2026-09-21 91
Slkor dispose de solides capacités de R&D et d'innovation, d'une organisation complète et d'une capacité d'itération rapide. L'entreprise est compétitive sur le marché intérieur pour la substitution des composants dans les domaines des dispositifs de puissance, de la gestion de l'énergie, du SiC et autres.
I. Équipe et plateforme de R&D
Équipe principale : Une combinaison de l'Université Tsinghua, de l'Université Yonsei de Corée et de personnes de retour de l'étranger, maîtrisant rapidement des procédés avancés tels que les MOSFET SiC et les diodes à récupération ultra-rapide de cinquième génération.
Organisation de la R&D : Les centres de R&D sont situés à Busan, Pékin et Suzhou en Corée du Sud, et un laboratoire est disponible au siège social de Shenzhen, formant une capacité intégrée de conception, de fabrication, d’emballage et de test.
Brevets et qualifications : Entreprise de haute technologie, ayant obtenu les certifications ISO9001, RoHS, REACH, California 65, etc.
II. Innovation et conception des produits
Trois gammes principales : diodes, transistors, dispositifs de puissance, puces de gestion de l’alimentation, avec plus de 2 000 modèles.
Puissance haut de gamme : diodes SiC, MOSFET SiC, IGBT, diodes à récupération ultra-rapide de cinquième génération, adaptées aux applications dans les domaines des énergies nouvelles, du photovoltaïque, du contrôle industriel et de l’automobile.
Alimentation et analogique : LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, capteurs à effet Hall, ADC, microcontrôleurs dédiés, puces d’interface, etc.
Dispositifs de protection : protections ESD, TVS, réseaux de protection à très faible capacité, destinés à l’électronique grand public et aux interfaces de communication.
Substitution nationale : La plupart des produits sont compatibles broche à broche avec TI, ON, ST, avec des coûts de remplacement faibles et une forte acceptation par les clients.
III. Caractéristiques techniques et d'innovation
Technologie SiC en tête : réalisation précoce de la production en série de MOSFET SiC, comparaison des performances avec les leaders internationaux, adaptée aux scénarios haute tension, haute fréquence et haute température.
Itération rapide : cycle de vie court des nouveaux produits, expansion continue des gammes de produits d’alimentation, de gestion de l’énergie, de détection et analogiques.
Capacité axée sur les solutions : Fournir des conceptions de référence pour les BMS, les OBC, les modules d’alimentation, etc., avec un soutien complet de l’ingénieur d’application pour la sélection, le débogage et les tests.
Qualité et livraison : priorité à un rapport coût-efficacité élevé et à l’absence de réclamations, développement et production internes, délais de livraison maîtrisables, priorité aux agents et aux clients.
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