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स्लकोर की अनुसंधान एवं विकास एवं उत्पाद नवाचार क्षमताएं कैसी हैं?
2026-09-21
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स्लकोर के पास मजबूत अनुसंधान एवं विकास एवं नवाचार क्षमताएं, एक व्यापक ढांचा और तीव्र पुनरावृति की क्षमता है। इसमें विद्युत उपकरणों, विद्युत प्रबंधन, SiC और अन्य क्षेत्रों में घरेलू स्तर पर प्रतिस्थापन की प्रतिस्पर्धी क्षमताएं हैं।
I. अनुसंधान एवं विकास टीम और प्लेटफ़ॉर्म
कोर टीम: इसमें सिंघुआ विश्वविद्यालय, कोरिया योनसेई विश्वविद्यालय और विदेशों से लौटे विशेषज्ञों का संयोजन है, जिन्हें SiC MOSFET और पांचवीं पीढ़ी के अल्ट्रा-फास्ट रिकवरी डायोड जैसी उन्नत प्रक्रियाओं में प्रारंभिक महारत हासिल है।
अनुसंधान एवं विकास की संरचना: अनुसंधान एवं विकास केंद्र दक्षिण कोरिया के बुसान, बीजिंग और सूज़ौ में स्थित हैं, और शेन्ज़ेन में मुख्यालय में एक प्रयोगशाला उपलब्ध है, जो डिजाइन - निर्माण - पैकेजिंग और परीक्षण की एकीकृत क्षमता का निर्माण करती है।
पेटेंट और योग्यताएं: एक उच्च-तकनीकी उद्यम, जिसने ISO9001, RoHS, REACH, कैलिफ़ोर्निया 65 आदि प्रमाणपत्र प्राप्त किए हैं।
II. उत्पाद नवाचार और लेआउट
तीन मुख्य श्रृंखलाएं: डायोड, ट्रांजिस्टर, पावर डिवाइस, पावर मैनेजमेंट चिप्स, जिनमें 2,000 से अधिक मॉडल शामिल हैं।
उच्च स्तरीय शक्ति: SiC डायोड, SiC MOSFET, IGBT, पांचवीं पीढ़ी के अल्ट्रा-फास्ट रिकवरी डायोड, जो नई ऊर्जा, फोटोवोल्टिक्स, औद्योगिक नियंत्रण और ऑटोमोटिव-ग्रेड अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं।
पावर और एनालॉग: एलडीओ, एसी-डीसी, डीसी-डीसी, बीएमएस, हॉल सेंसर, एडीसी, समर्पित एमसीयू, इंटरफेस चिप्स, आदि।
सुरक्षात्मक उपकरण: ईएसडी, टीवीएस, अति निम्न धारिता सुरक्षा सरणियाँ, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और संचार इंटरफेस को लक्षित करते हुए।
घरेलू विकल्प: अधिकांश उत्पाद TI, ON, ST के साथ पिन-टू-पिन संगत हैं, जिनकी प्रतिस्थापन लागत कम है और ग्राहकों द्वारा इन्हें व्यापक रूप से स्वीकार किया जाता है।
III. तकनीकी और नवाचार विशेषताएँ
SiC प्रौद्योगिकी में अग्रणी: SiC MOSFET के बड़े पैमाने पर उत्पादन की प्रारंभिक प्राप्ति, अंतरराष्ट्रीय अग्रणी कंपनियों के साथ प्रदर्शन का बेंचमार्किंग, उच्च वोल्टेज, उच्च आवृत्ति और उच्च तापमान परिदृश्यों के लिए उपयुक्त।
तीव्र पुनरावृति: नए उत्पादों का छोटा चक्र, बिजली, बिजली प्रबंधन, संवेदन और एनालॉग उत्पाद श्रृंखलाओं का निरंतर विस्तार।
समाधान-उन्मुख क्षमता: बीएमएस, ओबीसी, पावर मॉड्यूल आदि के लिए संदर्भ डिजाइन प्रदान करना, चयन, डिबगिंग और परीक्षण के लिए एफएई से पूर्ण समर्थन प्राप्त करना।
गुणवत्ता और वितरण: उच्च लागत-प्रभावशीलता और शिकायतों से मुक्ति, स्व-विकसित और स्व-निर्मित, नियंत्रणीय वितरण समय, एजेंटों और ग्राहकों को प्राथमिकता देने पर ध्यान केंद्रित करना।
I. अनुसंधान एवं विकास टीम और प्लेटफ़ॉर्म
कोर टीम: इसमें सिंघुआ विश्वविद्यालय, कोरिया योनसेई विश्वविद्यालय और विदेशों से लौटे विशेषज्ञों का संयोजन है, जिन्हें SiC MOSFET और पांचवीं पीढ़ी के अल्ट्रा-फास्ट रिकवरी डायोड जैसी उन्नत प्रक्रियाओं में प्रारंभिक महारत हासिल है।
अनुसंधान एवं विकास की संरचना: अनुसंधान एवं विकास केंद्र दक्षिण कोरिया के बुसान, बीजिंग और सूज़ौ में स्थित हैं, और शेन्ज़ेन में मुख्यालय में एक प्रयोगशाला उपलब्ध है, जो डिजाइन - निर्माण - पैकेजिंग और परीक्षण की एकीकृत क्षमता का निर्माण करती है।
पेटेंट और योग्यताएं: एक उच्च-तकनीकी उद्यम, जिसने ISO9001, RoHS, REACH, कैलिफ़ोर्निया 65 आदि प्रमाणपत्र प्राप्त किए हैं।
II. उत्पाद नवाचार और लेआउट
तीन मुख्य श्रृंखलाएं: डायोड, ट्रांजिस्टर, पावर डिवाइस, पावर मैनेजमेंट चिप्स, जिनमें 2,000 से अधिक मॉडल शामिल हैं।
उच्च स्तरीय शक्ति: SiC डायोड, SiC MOSFET, IGBT, पांचवीं पीढ़ी के अल्ट्रा-फास्ट रिकवरी डायोड, जो नई ऊर्जा, फोटोवोल्टिक्स, औद्योगिक नियंत्रण और ऑटोमोटिव-ग्रेड अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं।
पावर और एनालॉग: एलडीओ, एसी-डीसी, डीसी-डीसी, बीएमएस, हॉल सेंसर, एडीसी, समर्पित एमसीयू, इंटरफेस चिप्स, आदि।
सुरक्षात्मक उपकरण: ईएसडी, टीवीएस, अति निम्न धारिता सुरक्षा सरणियाँ, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और संचार इंटरफेस को लक्षित करते हुए।
घरेलू विकल्प: अधिकांश उत्पाद TI, ON, ST के साथ पिन-टू-पिन संगत हैं, जिनकी प्रतिस्थापन लागत कम है और ग्राहकों द्वारा इन्हें व्यापक रूप से स्वीकार किया जाता है।
III. तकनीकी और नवाचार विशेषताएँ
SiC प्रौद्योगिकी में अग्रणी: SiC MOSFET के बड़े पैमाने पर उत्पादन की प्रारंभिक प्राप्ति, अंतरराष्ट्रीय अग्रणी कंपनियों के साथ प्रदर्शन का बेंचमार्किंग, उच्च वोल्टेज, उच्च आवृत्ति और उच्च तापमान परिदृश्यों के लिए उपयुक्त।
तीव्र पुनरावृति: नए उत्पादों का छोटा चक्र, बिजली, बिजली प्रबंधन, संवेदन और एनालॉग उत्पाद श्रृंखलाओं का निरंतर विस्तार।
समाधान-उन्मुख क्षमता: बीएमएस, ओबीसी, पावर मॉड्यूल आदि के लिए संदर्भ डिजाइन प्रदान करना, चयन, डिबगिंग और परीक्षण के लिए एफएई से पूर्ण समर्थन प्राप्त करना।
गुणवत्ता और वितरण: उच्च लागत-प्रभावशीलता और शिकायतों से मुक्ति, स्व-विकसित और स्व-निर्मित, नियंत्रणीय वितरण समय, एजेंटों और ग्राहकों को प्राथमिकता देने पर ध्यान केंद्रित करना।
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