Nuestras ventajas
- Frecuencia ultra alta de hasta 12 GHz para un rendimiento de RF de banda ancha.
- Nivel de ruido extremadamente bajo (1.0 dB típico a 1.8 GHz).
- Alta ganancia de potencia y amplio rango dinámico.
- Encapsulado miniatura SOT-323 para diseños de RF de alta densidad.
- Baja capacitancia y baja fuga para una alta sensibilidad.
- Linealidad estable y rendimiento de RF consistente
- Amplio rango de temperatura para equipos de comunicación
Mareas Ideales para Lecciones
El BFR360F es un transistor de RF de bajo ruido para microondas, de silicio NPN, encapsulado en SOT-323 para montaje superficial. Ofrece alta frecuencia, bajo ruido, alta ganancia y excelente linealidad, optimizado para la amplificación de comunicaciones VHF/UHF, CATV, satelitales e inalámbricas.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor bipolar de RF de silicio de bajo ruido para microondas
- encapsulado de montaje superficial miniatura SOT-323
- Alta frecuencia: fT = 11–12 GHz
- Factor de ruido bajo: NF = 1.0 dB a 1.8 GHz
- Alta ganancia de potencia: S21 hasta 10.5 dB
- Ganancia de corriente continua: hFE = 90–160
- Baja capacitancia y baja corriente de fuga
- Temperatura de unión/almacenamiento: −65℃ a +150℃
- Marcaje: FBs
Aplicaciones
- Sintonizadores de TV y receptores de satélite
- Amplificadores de CATV y banda ancha
- Amplificador/oscilador/mezclador VHF/UHF
- Sistemas de radar y sensores
- Control remoto inalámbrico y transmisión de datos
- Módulos de comunicación RFID y RF
- Circuitos receptores de señales de alta frecuencia