Nos avantages
- Fréquence ultra-élevée jusqu'à 12 GHz pour des performances RF à large bande
- Facteur de bruit extrêmement faible (1.0 dB typique à 1.8 GHz)
- Gain de puissance élevé et large plage dynamique
- Boîtier SOT-323 miniature pour les conceptions RF haute densité
- Faible capacité et faible courant de fuite pour une haute sensibilité
- Linéarité stable et performances RF constantes
- Large plage de températures pour les équipements de communication
Description
Le BFR360F est un transistor RF micro-ondes en silicium NPN à faible bruit, encapsulé en boîtier CMS SOT-323. Il se caractérise par une haute fréquence, un faible bruit, un gain élevé et une excellente linéarité, et est optimisé pour l'amplification des communications VHF/UHF, CATV, satellite et sans fil.
Fonctionnalités
- Transistor RF bipolaire en silicium à faible bruit pour micro-ondes
- Boîtier miniature de montage en surface SOT-323
- Haute fréquence : fT = 11–12 GHz
- Faible facteur de bruit : NF = 1.0 dB à 1.8 GHz
- Gain de puissance élevé : S21 jusqu'à 10.5 dB
- Gain en courant continu : hFE = 90–160
- Faible capacité et faible courant de fuite
- Température de jonction/stockage : −65℃ à +150℃
- Marquage : FBs
Applications
- Tuners TV et récepteurs satellite
- Amplificateurs CATV et haut débit
- Amplificateur/oscillateur/mélangeur VHF/UHF
- Systèmes radar et capteurs
- transmission de données et télécommande sans fil
- modules de communication RFID et RF
- Circuits de réception de signaux à haute fréquence