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Transistor bipolare NPN BFR360F SOT-323
Il BFR360F è un transistor RF a microonde NPN al silicio a basso rumore, in contenitore SOT-323 per montaggio superficiale. Offre alta frequenza, basso rumore, alto guadagno ed eccellente linearità, ed è ottimizzato per l'amplificazione in VHF/UHF, CATV, comunicazioni satellitari e wireless.
I nostri vantaggi
- Frequenza ultraelevata fino a 12 GHz per prestazioni RF a banda larga
- Figura di rumore estremamente bassa (1.0 dB tipica a 1.8 GHz)
- Elevata potenza di guadagno e ampia gamma dinamica
- Contenitore SOT-323 miniaturizzato per progetti RF ad alta densità.
- Bassa capacità e bassa corrente di dispersione per un'elevata sensibilità.
- Linearità stabile e prestazioni RF costanti.
- Ampio intervallo di temperatura per le apparecchiature di comunicazione
Descrizione
Il BFR360F è un transistor RF a microonde NPN al silicio a basso rumore, in contenitore SOT-323 per montaggio superficiale. Offre alta frequenza, basso rumore, alto guadagno ed eccellente linearità, ed è ottimizzato per l'amplificazione in VHF/UHF, CATV, comunicazioni satellitari e wireless.
CARATTERISTICHE
- Transistor RF bipolare al silicio a microonde a basso rumore
- Contenitore miniaturizzato per montaggio superficiale SOT-323
- Alta frequenza: fT = 11–12 GHz
- Basso fattore di rumore: NF = 1.0 dB a 1.8 GHz
- Elevato guadagno di potenza: S21 fino a 10.5 dB
- Guadagno di corrente continua: hFE = 90–160
- Bassa capacità e bassa corrente di dispersione
- Temperatura di giunzione/immagazzinamento: da −65℃ a +150℃
- Marcatura: FB
Applicazioni
- Sintonizzatori TV e ricevitori satellitari
- Amplificatori CATV e a banda larga
- Amplificatore/oscillatore/mixer VHF/UHF
- Sistemi radar e sensori
- Trasmissione dati e controllo remoto wireless
- Moduli di comunicazione RFID e RF
- Circuiti di ricezione di segnali ad alta frequenza
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Transistor bipolare PNP SS30101-Q SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare NPN 2SD2098-R SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare NPN MMDT4401 in contenitore SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare PNP 2SC4373-Y in contenitore SOT-89
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare NPN 2SC2757 T33 SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
MMBT589 Transistor bipolare PNP SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare PNP 2SC2881-Y in contenitore SOT-89
VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
MMDT5551 Transistor bipolare NPN SOT-363
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare NPN M28S SOT-23
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
Transistor bipolare NPN MMBT2222AT in contenitore SOT-523
Marca: slkor， VCEO(V)： 6V PD(W)(PD(W))： 300mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 6V fT(MHz)(fT(MHz))： 12GHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 35mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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粤公网安备44030002007346号