Transistor NPN Slkor BCP55-16 : tension de tenue de 60 V, 1 A, boîtier SOT-223, transistor de puissance pour circuit audio

Le BCP55-16 est un transistor bipolaire NPN de la série BCP54-BCP56, en boîtier SOT-223. Ce composant se caractérise par une capacité de courant de collecteur élevée et une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Son gain en courant continu est compris entre 100 et 250. Il convient aux circuits de commande audio et d'étages de sortie. Des transistors PNP complémentaires sont disponibles. Sa température de fonctionnement et de stockage s'étend de -65 °C à 150 °C. Il peut être utilisé dans des applications de traitement du signal analogique et de commutation de moyenne et basse puissance.

1. Paramètres de base du produit

Valeurs maximales absolues (température ambiante = 25 °C)

1. Tension de base du collecteur : 60 XNUMX V
2. Tension collecteur-émetteur : 60 V
3. Tension de base de l'émetteur : 5 V
4. Courant de collecteur continu : 1 A
5. Dissipation de puissance du collecteur : 1.5 W
6. Résistance thermique jonction-ambiante : 94 °C/W
7. Plage de températures de stockage : -65℃ ~ +150℃

Caractéristiques électriques (température ambiante = 25℃)

1. Tension de claquage collecteur-base : 60 V, condition de test à un courant de collecteur de 0.1 mA
2. Tension de claquage collecteur-émetteur : 60 V, condition de test à un courant de collecteur de 10 mA
3. Tension de claquage émetteur-base : 5 V, condition de test à un courant de 10 µA
4. Courant de coupure du collecteur : maximum 100 nA, condition de test à une tension base-collecteur de 30 V
5. Gain en courant continu : valeur comprise entre 100 et 250 sous une tension de collecteur de 2 V et un courant de collecteur de 150 mA ; valeur minimale de 25 pour un courant de collecteur de 5 mA et de 500 mA.
6. Tension de saturation collecteur-émetteur : maximum 0.5 V, conditions de test : courant de collecteur de 500 mA et courant de base de 50 mA
7. Tension base-émetteur : maximum 1 V, conditions de test : tension de collecteur de 2 V et courant de collecteur de 500 mA
8. Fréquence de transition : minimum 100 MHz, conditions de test : tension de collecteur de 10 V, courant de collecteur de 50 mA et fréquence de test de 100 MHz

Définition des broches du boîtier SOT-223

Broche 1 : Base ; Broche 2 : Collecteur ; Broche 3 : Émetteur

2. Principales caractéristiques du produit

1. Logé dans un boîtier SOT-223, il supporte un courant de collecteur continu de 1 A et une dissipation de puissance de 1.5 W pour les circuits de moyenne et basse puissance.
2. Une faible tension de saturation collecteur-émetteur permet de maintenir les pertes par conduction à un faible niveau.
3. La série de dispositifs PNP complémentaires appariés BCP51-BCP53 est disponible pour la conception de circuits push-pull.
4. Le gain en courant continu est classé par ordre de performance. Le BCP55-16 offre une plage de gain de 100 à 250 avec une bonne constance dans ses performances d'amplification.
5. La fréquence de transition ne doit pas être inférieure à 100 MHz afin de répondre aux exigences du traitement des signaux moyennes et hautes fréquences.
6. Large plage de températures. La température de stockage s'étend de -65℃ à 150℃, compatible avec diverses conditions de température industrielles et électroniques grand public.

3 Principaux domaines d'application

1. Circuits de préamplification audio et circuits d'étage de sortie de puissance audio.
2. Circuits d'amplification de signaux à usage général, de moyenne et basse puissance.
3. Circuits de commande de commutation de moyenne et basse puissance.
4. Circuits amplificateurs push-pull nécessitant un appariement complémentaire PNP-NPN.

4. Suggestions pour la conception technique

1. Conception avec réduction de puissance : La dissipation de puissance maximale de 1.5 W est spécifiée à une température ambiante de 25 °C. La dissipation de puissance admissible de l’appareil est réduite lorsque la température ambiante augmente. Se référer à la courbe puissance-température ; la capacité de gestion de la puissance chute rapidement lorsque la température dépasse 120 °C.
2. Marges de tension et de courant : Prévoir une marge de sécurité suffisante pour la tension et le courant de fonctionnement réels. Ne pas faire fonctionner en continu aux points de puissance maximale absolue afin d’éviter toute dégradation de la fiabilité.
3. Le gain en courant continu varie en fonction du courant de collecteur et de la température ambiante. Le facteur d'amplification diminue en cas de courant élevé. Il convient de tenir compte de cette variation lors de la conception de circuits amplificateurs.
4. Le courant de coupure du collecteur augmente sensiblement avec la température ambiante. Il convient de prêter attention à l'influence du courant de fuite sur le système en conditions de haute température.
5. En régime de charge impulsionnelle, une dissipation de puissance plus élevée est tolérée pendant de courtes périodes. Consultez la courbe de charge impulsionnelle en fonction de la largeur d'impulsion et du rapport cyclique ; n'utilisez pas directement les paramètres de puissance continue.
6. Pour les applications de commutation saturée, fournir un courant de commande de base adéquat pour une saturation fiable du transistor afin de réduire les pertes par conduction.
7. Lorsqu'une conception de paire complémentaire est nécessaire, sélectionnez les transistors PNP correspondants de la série BCP51-BCP53 pour l'appariement.

5. Informations sur le produit

Le BCP55-16 est un transistor NPN de moyenne et basse puissance en boîtier SOT-223, supportant une tension de 60 V, un courant continu de 1 A et une dissipation de puissance de 1.5 W. Il offre un gain continu élevé, une faible tension de saturation et est compatible avec les transistors PNP. Principalement destiné aux étages de sortie audio, il peut également être utilisé dans des circuits d'amplification et de commutation généraux. En pratique, il est essentiel de mettre en œuvre une réduction de puissance, de prendre en compte les variations de gain et de courant de fuite dues à la température et d'adapter les conditions de fonctionnement afin de garantir un fonctionnement stable et durable du circuit.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.

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