Layanan Hotline
● Teknologi Parit Tingkat Lanjut
● Memberikan RDS(ON) yang Unggul dan Muatan Gerbang yang Rendah
● Produk bebas timbal diperoleh
● Deskripsi:
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
● Fitur:
● V DS = 30V, I D =150A
● R DS(ON),2.8 mΩ(Typ) @ V GS =10V
● R DS(ON),4.4mΩ(Typ) @ V GS =4.5V
● Teknologi Parit Tingkat Lanjut
● Memberikan RDS(ON) yang Unggul dan Muatan Gerbang yang Rendah
● Produk bebas timbal telah diperoleh
● Aplikasi:
● Saklar Beban
● Aplikasi PWM
● Manajemen daya
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















