servicio de teléfono directo
● Tecnología avanzada de zanjas
● Proporciona una excelente RDS(ON) y una baja carga de puerta.
● Se adquiere producto sin plomo.
● Descripción:
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
● Características:
● V DS = 30V, I D =150A
● R DS(ON),2.8 mΩ(Típ) @ V GS =10V
● R DS(ON),4.4 mΩ(Típ) @ V GS =4.5 V
● Tecnología avanzada de zanjas
● Proporciona una excelente RDS(ON) y una baja carga de puerta.
● Se adquiere un producto sin plomo
● Aplicación:
● Interruptor de carga
● Aplicación PWM
● Gestión de energía
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.















