服務熱線
● 說明:
這些N通道增強型功率MOSFET採用先進的溝槽技術設計,提供優異的Rdson和低閘極電荷。符合RoHS標準。
● 功能:
● V<sub> DS</sub> = 30V,I <sub>D</sub> = 150A
● RDS (ON),2.8 mΩ(典型值) @ VGS = 10V
● RDS (ON),4.4mΩ(典型值) @ VGS = 4.5V
●先進的溝槽技術
●提供優異的導通電阻 (RDS(ON)) 和低閘極電荷
●購買無鉛產品
● 應用:
● 負載開關
● 脈寬調變應用
● 電源管理
支持
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長壽
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