Hotline
● Technologie de tranchée avancée
● Offre un excellent RDS(ON) et des frais d'accès réduits
● Un produit sans plomb est acquis
●Description :
Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
● Caractéristiques :
● V<sub> DS</sub> = 30 V, I<sub> D</sub> = 150 A
● R<sub> DS(ON)</sub> , 2.8 mΩ (typ.) à V<sub> GS</sub> = 10 V
● R<sub> DS(ON)</sub> , 4.4 mΩ (typ.) à V<sub> GS</sub> = 4.5 V
● Technologie de tranchée avancée
● Offre un excellent RDS(ON) et des frais d'accès réduits
● Un produit sans plomb est acquis
● Application:
● Commutateur de charge
● Application MLI
● Gestion de l'alimentation
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















