servis Hattı
● Gelişmiş Hendek Teknolojisi
● Mükemmel RDS(ON) ve Düşük Kapı Şarjı Sağlar
● Kurşunsuz ürün elde edilir
● Açıklama:
Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur.
● Özellikler:
● V DS = 30V, I D =150A
● R DS(ON),2.8 mΩ(Typ) @ V GS =10V
● R DS(ON),4.4mΩ(Typ) @ V GS =4.5V
● Gelişmiş Hendek Teknolojisi
● Mükemmel RDS(ON) ve Düşük Kapı Şarjı Sağlar
● Kurşunsuz ürün temin edilmiştir.
● Uygulama:
● Yük Anahtarı
● PWM Uygulaması
● Güç yönetimi
Destek
Tasarım/teknik desteğe ihtiyacınız varsa lütfen bize bildirin ve Yanıt Formunu doldurun. En kısa sürede sizinle iletişime geçeceğiz.
Ömür
Uzun Ömürlülük Programı, müşterilerimize ürünlerimizin ne zaman sipariş edilebileceğine dair zaman zaman bilgi sağlamayı amaçlamaktadır. Uzun Ömürlülük Programı, üst yönetim ekibimiz tarafından düzenli olarak gözden geçirilir ve güncellenir. Uzun Ömürlülük Programımızı buradan inceleyebilirsiniz.















