Service-Hotline
● Fortschrittliche Grabentechnologie
● Bietet exzellenten RDS(ON)-Wert und niedrige Gate-Ladung
● Es wird ein bleifreies Produkt erworben
● Beschreibung:
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen ausgezeichneten Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Dies entspricht dem RoHS-Standard.
● Merkmale:
● V<sub> DS</sub> = 30 V, I <sub>D</sub> = 150 A
● R DS(ON),2.8 mΩ(Typ) @ V GS =10V
● R DS(ON),4.4 mΩ (typ.) bei V GS = 4.5 V
● Fortschrittliche Grabentechnologie
● Bietet exzellenten RDS(ON)-Wert und niedrige Gate-Ladung
● Bleifreies Produkt wird beschafft
● Anwendung:
● Lastschalter
● PWM-Anwendung
● Power-Management
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















