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SL30N02D N-Kanal Kleinsignal-MOSFET TO-252

● Fortschrittliche Grabentechnologie

● Bietet exzellenten RDS(ON)-Wert und niedrige Gate-Ladung

● Es wird ein bleifreies Produkt erworben

● Beschreibung:

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen ausgezeichneten Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Dies entspricht dem RoHS-Standard.


● Merkmale:

● V<sub> DS</sub> = 30 V, I <sub>D</sub> = 150 A

● R DS(ON),2.8 mΩ(Typ) @ V GS =10V

● R DS(ON),4.4 mΩ (typ.) bei V GS = 4.5 V

● Fortschrittliche Grabentechnologie

● Bietet exzellenten RDS(ON)-Wert und niedrige Gate-Ladung

● Bleifreies Produkt wird beschafft


● Anwendung:

● Lastschalter
● PWM-Anwendung
● Power-Management



Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
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Unterstützung

 

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Langlebigkeit

 

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