บริการสายด่วน
ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
SL30N02D N-Channel สัญญาณขนาดเล็ก MOSFET TO-252
● เทคโนโลยีการขุดร่องลึกขั้นสูง
● ให้ค่า RDS(ON) ที่ยอดเยี่ยมและประจุเกตต่ำ
● ได้รับผลิตภัณฑ์ไร้สารตะกั่ว
● คำอธิบาย:
มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
● สิ่งอำนวยความสะดวก:
● V DS = 30V, I D = 150A
● R DS(ON)，2.8 mΩ(Typ) @ V GS =10V
● R DS(ON)，4.4mΩ(Typ) @ V GS =4.5V
●เทคโนโลยีการขุดร่องลึกขั้นสูง
●ให้ค่า RDS(ON) ที่ยอดเยี่ยมและประจุเกตต่ำ
●ได้รับผลิตภัณฑ์ที่ปราศจากสารตะกั่ว
● การประยุกต์ใช้:
● สวิตช์โหลด
● แอปพลิเคชันพีเอ็มดับเบิลยู
● การจัดการพลังงาน
ชื่อ
ชื่อหนังสือ
รายละเอียด
แผ่นข้อมูล
Support
Support
หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด
ช่วงชีวิต
โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่
2SK3018 N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-323
แบรนด์: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-523
แบรนด์: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-ช่องเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ฟิลด์โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P การเพิ่มประสิทธิภาพ P-Channel MOSFET SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N N-Channel เพาเวอร์มอสเฟต SOT-23
แบรนด์: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
กลุ่มผลิตภัณฑ์ของ SLKOR ประกอบด้วยอุปกรณ์แบบแยกชิ้น เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์กำลัง และชิปวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้น ชิป DC/DC ชิปอินเตอร์เฟส เซ็นเซอร์ฮอลล์ ADC และ BMS... เราสั่งสมเทคโนโลยีเฉพาะทางด้านเซมิคอนดักเตอร์มานานหลายปี
ต้องการความช่วยเหลือใช่ไหม สแกนรหัสด้วยโทรศัพท์ของคุณเพื่อเริ่มแชทบน WhatsApp
ลิขสิทธิ์ © 2025 สงวนลิขสิทธิ์ทุกประการ
Slkor
粤公网安备44030002007346号