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Transistor bipolar PNP BC860C SOT-23

O BC860C é um transistor planar epitaxial de silício PNP em encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície. Ele apresenta alta eficiência de conversão de energia (hFE), baixo ruído e excelente linearidade, sendo projetado para chaveamento de uso geral e amplificação de sinal em circuitos eletrônicos compactos de consumo e industriais.

Nossas Vantagens


  • Ganho de corrente contínua ultra-alto para um desempenho de amplificação robusto.
  • Pacote SOT-23 padrão ideal para montagem automática.
  • Baixa tensão de saturação e baixa corrente de fuga para alta eficiência.
  • Ampla faixa de temperatura para operação estável
  • O tamanho reduzido economiza espaço na placa de circuito impresso.
  • Baixo nível de ruído para circuitos de alta sensibilidade
  • Em conformidade com a RoHS para aplicações globais.

Descrição


O BC860C é um transistor planar epitaxial de silício PNP em encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície. Ele apresenta hFE ultra-alto, baixo ruído e excelente linearidade.Projetado para comutação de uso geral e amplificação de sinal em eletrônicos de consumo compactos e circuitos industriais.

CARATERÍSTICAS


  • transistor epitaxial de silício PNP
  • Pacote de montagem em superfície SOT-23
  • Para aplicações de comutação e amplificadores
  • VCBO = −50V, VCEO = −45V, VEBO = −5V
  • Ganho de corrente CC (hFE): 420–800 (classificação C)
  • Corrente contínua do coletor: IC = −100mA
  • Corrente de pico do coletor: ICM = −200mA
  • Dissipação de potência: Ptot = 200mW
  • Frequência de transição: fT = 100MHz (típ.)
  • Baixo nível de ruído: NF = 4dB
  • Temperatura de operação: −65℃ a +150℃
  • Classificação: 4G

Aplicações


  • Amplificação de sinal de uso geral
  • Controle de comutação de baixa potência
  • Circuitos de interface de áudio e sensores
  • eletrônicos portáteis de consumo
  • Dispositivos alimentados por bateria
  • Módulos de controle industrial
  • Projetos de PCB SMT de alta densidade
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