อัพเดทอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ระดับโลก

1. Samsung Electronics ได้ปิดสายการผลิตเวเฟอร์ขนาด 30 นาโนเมตร 4 นาโนเมตร และ 5 นาโนเมตรมากกว่า 7% ที่โรงงาน P2 และ P3 ในเมืองพยองแท็ก และมีแผนจะขยายการปิดสายการผลิตให้ครอบคลุมประมาณ 50% ภายในสิ้นปีนี้

2. Intel ได้ประสบความคืบหน้าอย่างมากในการก่อสร้างโรงงานผลิตเวเฟอร์ในโอไฮโอ สหรัฐอเมริกา

3. SK Hynix ยักษ์ใหญ่ผู้ผลิตหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ เปิดตัวผลิตภัณฑ์ HBM48E 16 ชั้น ความจุ 3GB ตัวแรกของโลก

4. Samsung Electronics เตรียมเปิดตัว V-NAND รุ่นถัดไปในปี 2026 ซึ่งจะมีเลเยอร์ซ้อนกันมากกว่า 400 เลเยอร์ DRAM ขนาด 0a นาโนเมตรที่คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2027 จะใช้โครงสร้าง VCT

5. หยาง ไห่จุน จากสำนักงานกฎหมาย Tongsheng (เมืองฉางซา) ยังคงกระทำการฉ้อโกงต่อไป ตามเอกสารของศาลเมื่อวันที่ 29 ตุลาคม จาก China Judgments Online หยาง ไห่จุน ร่วมมือกับ Zeng Wenbin จากสำนักงานกฎหมาย Hunan Hongyi ยื่นฟ้องบริษัทออนไลน์แห่งหนึ่งในเมืองชิงเต่า โดยเรียกเงิน 35,000 หยวนจากบริษัทอาหารแห่งหนึ่งในเมืองฉงชิ่ง นอกจากนี้ เขายังรับผิดชอบคดีเรียกเงิน 30,000 คดีด้วยตนเอง โดยคดีหนึ่งเรียกเงิน XNUMX หยวนจากบริษัทแห่งหนึ่งในเมืองตันหยาง มณฑลเจียงซู

6. STMicroelectronics ได้ปรับลดคาดการณ์รายได้ประจำปีเป็นครั้งที่สามในปีนี้ โดยคาดการณ์รายได้รวมอยู่ที่ 13.27 ล้านเหรียญสหรัฐ

อัพเดทอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีน

1. โครงการ EPC สำหรับสายกระบวนการเฉพาะวงจรรวมขนาด 12 นิ้วของเมืองฉงชิ่ง (ระยะที่ XNUMX) ซึ่งจัดหาโดยโรงงาน Yubei ได้เสร็จสิ้นกระบวนการสร้างส่วนบนสุดของโครงสร้างหลักเป็นที่เรียบร้อยแล้ว

2. Luxshare Precision ได้ลงนามข้อตกลงกับเขตพัฒนาเศรษฐกิจและเทคโนโลยีเซียงเฉิงในซูโจวเพื่อร่วมมือกันก่อสร้างโครงการผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์อะคูสติกและชิ้นส่วนยานยนต์ ซึ่งจะเป็นฐานการผลิตส่วนประกอบยานยนต์ที่ใหญ่ที่สุดของ Luxshare ในจีน

3. บริษัท Zhuhai Tiancheng Advanced Semiconductor Technology จำกัด ประสบความสำเร็จในการเชื่อมต่อสายการผลิตการผสานรวม TSV 12D ระดับเวเฟอร์ขนาด 3 นิ้ว และต่อมาบริษัทได้เปิดตัวแพลตฟอร์มเทคโนโลยี "Jiuchong"

4. Beijing Automotive ได้ลงนามบันทึกความเข้าใจกับ Alkan Auto ซึ่งเป็นบริษัทในเครือ Egypt International Automotive เพื่อประกอบและผลิตยานยนต์ไฟฟ้าในอียิปต์

5. คาดว่าฐานการผลิตของ Changfei Advanced ในเมืองอู่ฮั่นจะเริ่มการผลิตจำนวนมากในเดือนพฤษภาคมปีหน้า โดยโครงการนี้มุ่งเน้นไปที่การวิจัยและการผลิตอุปกรณ์กำลังไฟฟ้าเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม โดยคาดว่าจะมีการลงทุนรวมเกิน 20 หมื่นล้านหยวน

6. โรงงานผลิตขนาด 2 นาโนเมตรแห่งแรกของโรงงาน TSMC ในเมืองเกาสง (P1) ใกล้จะเสร็จสมบูรณ์แล้ว และคาดว่าจะจัดพิธีติดตั้งอุปกรณ์ในวันที่ 26 พฤศจิกายน โดยกระบวนการติดตั้งจะเริ่มขึ้นในวันที่ 1 ธันวาคม