Beschreibung

Eigenschaften

1. Bemessungs-Sperrspannung von 24 V, passend für 24-V-Bus- und Signalkreise
2. Extrem niedrige typische Sperrschichtkapazität von 0.6 pF, wodurch die Integrität von Hochgeschwindigkeitssignalen effektiv erhalten bleibt.
3. Niedrigster Leckstrom im Nanoampere-Bereich zur Reduzierung des Standby-Stromverbrauchs
4. Vollständige Einhaltung mehrerer internationaler EMV-Normen:
   • IEC 61000-4-2 ESD: ±30 kV Luftentladung, ±30 kV Kontaktentladung
   • IEC 61000-4-5 Blitzstoßstrom: 8 A Spitzenimpulsstrom bei 8/20 µs Wellenform
   • IEC 61000-4-4 EFT: 40A transienter Impuls (5/50ns)
5. Hohe Impulsspitzenleistung bis zu 400 W unter 8/20 µs Stoßbedingungen
6. Bidirektionales Design zur Unterdrückung sowohl positiver als auch negativer transienter Spannungsspitzen
7. Reaktionszeit im Nanosekundenbereich zur sofortigen Ableitung von Stoßenergie
8. Mini-SOD-323-Gehäuse (bleifrei) für die Oberflächenmontage zur Einsparung wertvollen Platzes auf der Leiterplatte.
9. Vollständiges Standardprofil für bleifreies Reflow-Löten für die SMT-Massenproduktion
10. Breiter Betriebstemperaturbereich des Sperrschichtübergangs: -40℃ ~ +125℃ für vielfältige Arbeitsumgebungen
11. RoHS-konforme, bleifreie, flammhemmende Kunststoffverkapselung für den globalen Export von umweltfreundlicher Elektronik

Unsere Vorteile

1. Das kompakte SOD-323-Gehäuse mit seiner winzigen Form eignet sich für schlanke Smartphones, Wearables und kompakte drahtlose Sensormodule mit begrenzter Leiterplattenfläche.
2. Extrem niedrige Kapazität eliminiert Signalverzerrungen bei Gigabit-Ethernet und Hochgeschwindigkeits-Differenzialdatenleitungen.
3. Die branchenführende ESD-Festigkeit von ±30 kV erfüllt problemlos die strengen EMV-Zertifizierungen für Verbraucher und Industrie.
4. Eine einzelne bidirektionale TVS-Diode ersetzt zwei unidirektionale Einzeldioden, wodurch die Stückliste reduziert und das Leiterplatten-Routing vereinfacht wird.
5. Nanoampere-Leckströme minimieren statische Leistungsverluste und eignen sich daher perfekt für batteriebetriebene drahtlose Geräte.
6. Ein Blitzüberspannungsschutz von 8 A unterdrückt wirksam vorübergehende Störungen auf Fernkommunikationskabeln.
7. Eine zweistufige, stabile Klemmspannung unter verschiedenen Stoßströmen bietet zuverlässigen Schutz für empfindliche IC-Chips.
8. Optimiertes Verhalten bei niedriger Kapazität unter einer Nennvorspannung von 24 V
9. Standardmäßige bleifreie Reflow-Kurve ohne komplexe Temperaturregelung für die Massenfertigung
10. Einheitliche Gurt- und Rollenverpackung, kompatibel mit allen gängigen Hochgeschwindigkeits-SMT-Bestückungsautomaten

Mechanische Daten

1. Gehäusetyp: Bleifreies, spritzgegossenes Kunststoffgehäuse SOD-323 für Oberflächenmontage
2. Abmessungen (Außenmaße): Standard-Abmessungsspezifikationen SOD-323 (Einheit: mm) gemäß Datenblatt
3. Spezielle, dedizierte Leiterplatten-Lötfläche für das SOD-323-Layoutdesign
4. Lötgrenzwert: Maximale Löttemperatur 260℃ innerhalb von 10 Sekunden
5. Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs: -40℃ ~ +125℃
6. Lagertemperaturbereich: -55℃ ~ +150℃
7. Verkapselungsmaterial: RoHS-konforme, flammhemmende, bleifreie Kunststoffmischung
8. Vollständiges Standard-Temperaturprofil für bleifreies Reflow-Löten bereitgestellt

Anwendungen

• Alle Arten von digitalen Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsleitungen
• Smartphones und tragbare elektronische Geräte
• USB-Signal- und Stromschnittstellen
• Drahtlose Kommunikationsmodule, Bluetooth- und Wi-Fi-HF-Schaltungen
• 10/100/1000 Base-T Gigabit-Ethernet-Kommunikationsports
• Industrielle kabelgebundene Kommunikationsgeräte mit 24-V-Busspannung
• Handmessgeräte und Niederspannungs-Steuerplatinen
• Miniaturisierte drahtlose IoT-Sensorik und Kommunikationsendgeräte