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Productos
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Transistores de efecto de campo de silicio y óxido metálico 2SK3019
● Su accionamiento de bajo voltaje hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles.
● Circuitos de control de fácil diseño
● Fácil de alinear en paralelo
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general
El 2SK3019 es un MOSFET de mejora de canal N compacto diseñado para aplicaciones de control y conmutación de baja potencia. Encerrado en un pequeño paquete SOT-523, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable en diseños con espacio limitado, lo que lo hace ideal para electrónica portátil y de consumo donde la conmutación eficiente es crucial.
Caracteristicas
● Baja resistencia
● Velocidad de conmutación rápida
● La unidad de bajo voltaje hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles.
● Circuitos de accionamiento de fácil diseño
● Fácil de poner en paralelo
Aplicaciones
● Conmutación de baja potencia: Ideal para tareas de conmutación de baja potencia en dispositivos electrónicos compactos y productos de consumo.
● Procesamiento de señales: Adecuado para aplicaciones de procesamiento de señales que requieren un control preciso y una operación eficiente.
● Electrónica portátil: Perfecto para electrónica portátil donde el tamaño y la eficiencia energética son fundamentales.
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
SL30N50P
Marca: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Marca: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
2SK3018 MOSFET de alimentación de canal N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de mejora de canal N SOT-523
Marca: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET de alimentación de canal N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRF9317TR MOSFET SOP-8 de mejora de canal P
Marca: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de alimentación de canal P SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de alimentación de canal P SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4407 de alimentación de canal P SL8A
Marca: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 11mΩ@20V,12A VTH： 1.2V@250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOP-4435 de alimentación de canal P SL8A
Marca: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -10A RDSON(Ω)： 15mΩ@-10V,-10A VTH： -1.5V@-250uA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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