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Prodotti
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Transistor ad effetto di campo in ossido di metallo-silicio 2SK3019
● La bassa tensione di alimentazione rende questo dispositivo ideale per apparecchiature portatili
● Circuiti di pilotaggio di facile progettazione
● Facile da collegare in parallelo
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione generale
Il 2SK3019 è un MOSFET di potenziamento a canale N compatto progettato per applicazioni di commutazione e controllo a bassa potenza. Racchiuso in un piccolo contenitore SOT-523, questo MOSFET offre prestazioni affidabili in progetti con vincoli di spazio, rendendolo ideale per l'elettronica portatile e di consumo dove una commutazione efficiente è fondamentale.
Caratteristiche
● Bassa resistenza in conduzione
● Velocità di commutazione elevata
● L'azionamento a bassa tensione rende questo dispositivo ideale per apparecchiature portatili
● Circuiti di comando di facile progettazione
● Facile da mettere in parallelo
Applicazioni
● Commutazione a basso consumo: ideale per attività di commutazione a basso consumo in dispositivi elettronici compatti e prodotti di consumo.
● Elaborazione del segnale: adatto per applicazioni di elaborazione del segnale che richiedono un controllo preciso e un funzionamento efficiente.
● Elettronica portatile: perfetta per l'elettronica portatile in cui le dimensioni e l'efficienza energetica sono fondamentali.
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
SL30N50P
Marca: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Marca: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
2SK3018 MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET di potenza a canale N SOT-323
Marca: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET di potenziamento a canale N SOT-523
Marca: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN327N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDV301N MOSFET di potenza a canale N SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 25V Id(A)： 0.22A RDSON(Ω)： 4Ω@4.5V,0.4A VTH： 0.8V@250uA P/N： N-Channel
IRLML6401 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET di potenza a canale P SOT-23
Marca: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-4606 con potenziamento del canale N+P SL8A
Marca: slkor， Package： SOT-8 VDSS(V)： 30V Id(A)： 6A RDSON(Ω)： 19mΩ@10V,5.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N+P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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